[实用新型]电光调制器

说明书

本申请具体涉及一种电光调制器，包括：衬底；第一介质层，位于衬底上；第一介质层内形成有开口，开口暴露出部分衬底；波导，位于衬底上，且位于开口的底部或开口的下方；第一电极，位于第一介质层内，且位于波导的一侧，并与波导具有间距；第二电极，位于第一介质层内，且位于波导远离第一电极的一侧，并与波导具有间距；有机电光材料层，至少位于开口内，且至少覆盖于波导上。上述实施例中的电光调制器中，采用不同狭缝波导的普通波导，制作工艺要求较低；通过将有机电光材料层覆盖于波导上，可以使得光场能够最大限度地泄露到有机电光材料中，从而有效减小光学损耗，并具有较高的电光调制效率。

技术领域

本申请属于光电技术领域，具体涉及一种电光调制器。

背景技术

有机电光材料(譬如SEO100)的电光调制系数比铌酸锂材料的电光调制系数高数倍甚至数十倍，将这类大电光调制系数的有机电光材料与硅光平台的大规模集成优势结合起来，就能突破传统硅基电光调制器的带宽瓶颈。

常用的方法是利用在硅的狭缝波导(Slot Waveguide)中填充有机电光材料来实现高速率电光调制器。这种电光调制器虽然具有电场高度集中及电光调制效率极高的优点，但仍然存在如下问题：1.狭缝波导的制作对工艺要求高；2.光学损耗较高。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的电光调制器由于采用狭缝波导存在的对工艺要求高以及光学损耗较高的问题，提供一种能够解决上述问题的电光调制器。

本申请的一方面提供一种电光调制器，包括：

衬底；

第一介质层，位于所述衬底上；所述第一介质层内形成有开口，所述开口暴露出部分所述衬底；

波导，位于所述衬底上，且位于所述开口的底部或所述开口的下方；

第一电极，位于所述第一介质层内，且位于所述波导的一侧，并与所述波导具有间距；

第二电极，位于所述第一介质层内，且位于所述波导远离所述第一电极的一侧，并与所述波导具有间距；

有机电光材料层，至少位于所述开口内，且至少覆盖于所述波导上。

上述实施例中的电光调制器中，采用不同狭缝波导的普通波导，制作工艺要求较低；通过将有机电光材料层覆盖于波导上，可以使得光场能够最大限度地泄露到有机电光材料中，从而有效减小光学损耗，并具有较高的电光调制效率。

在其中一个实施例中，所述第一电极及所述第二电极均包括：

底层电极，所述底层电极自所述第一介质层内延伸至所述开口的底部，且与所述波导之间具有间隙；

金属叠层结构，位于所述第一介质层内，且位于所述底层电极上，所述金属叠层结构包括若干层间隔排布金属层及若干个互连插塞，位于底层的所述金属层与所述底层电极之间及相邻所述金属层之间均经由所述互连插塞相连接。

在其中一个实施例中，所述底层电极为掺杂硅电极。

在其中一个实施例中，所述底层电极与所述波导的间距为500nm～5000nm。

本申请中通过使用掺杂硅电极作为底层电极，掺杂硅电极产生的电场可以实现电光调制；但底层电极与波导的间距不能太远也不能太近，如果底层电极与波导离的太近，底层电极就会对光场有吸收，从而导致光学损耗较高，但如果底层电极与波导离得太远，底层电极产生的电场电光调制的效果又会比较差，通过将所述底层电极与所述波导的间距限定在500nm～5000nm，可以在保证具有较低光学损耗的前提下具有较好的电光调制效率。

在其中一个实施例中，所述第一介质层还填满所述底层电极与所述波导之间的间隙。