[实用新型]电光调制器

权利要求书

1.一种电光调制器，其特征在于，包括：

衬底；

第一介质层，位于所述衬底上；所述第一介质层内形成有开口，所述开口暴露出部分所述衬底；

波导，位于所述衬底上，且位于所述开口的底部或所述开口的下方；

第一电极，位于所述第一介质层内，且位于所述波导的一侧，并与所述波导具有间距；

第二电极，位于所述第一介质层内，且位于所述波导远离所述第一电极的一侧，并与所述波导具有间距；

有机电光材料层，至少位于所述开口内，且至少覆盖于所述波导上。

2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极均包括：

底层电极，所述底层电极自所述第一介质层内延伸至所述开口的底部，且与所述波导之间具有间隙；

金属叠层结构，位于所述第一介质层内，且位于所述底层电极上，所述金属叠层结构包括若干层间隔排布金属层及若干个互连插塞，位于底层的所述金属层与所述底层电极之间及相邻所述金属层之间均经由所述互连插塞相连接。

3.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述底层电极为掺杂硅电极。

4.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述底层电极与所述波导的间距为500nm～5000nm。

5.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述第一介质层还填满所述底层电极与所述波导之间的间隙。

6.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述有机电光材料层还填满所述底层电极与所述波导之间的间隙。

7.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述波导为硅波导。

8.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述衬底包括：

基底；

第二介质层，位于所述基底上；所述第一介质层及所述波导均位于所述第二介质层上。

9.根据权利要求8所述的电光调制器，其特征在于，所述基底为硅基底，所述第一介质层及所述第二介质层均为氧化层。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电光调制器，其特征在于，所述波导的宽度为300nm～1000nm，及/或所述波导的高度为150nm～300nm。