[实用新型]一种用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置及生长炉

权利要求书

1.一种用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，包括坩埚以及设置在坩埚上方的过滤盘，所述坩埚设置在旋转升降装置上，所述旋转升降装置带动坩埚朝向或者远离过滤盘移动，所述过滤盘固定设置在导流筒上，所述导流筒吊装设置在温场内，所述过滤盘底部上开设有多个过液孔。

2.如权利要求1所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，所述过液孔的直径为1-2mm。

3.如权利要求1所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，所述过液孔为锥形结构，所述过液孔的小端位于坩埚一侧，所述过液孔的小端直径为1-2mm。

4.如权利要求1所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，所述导流筒包括相互套设的外层筒体和内层筒体，所述外层筒体底部沿水平方向设置有承载托部，所述过滤盘上的外折边与承载托部通过螺栓锁固，所述内层筒体底部与承载托部抵接设置。

5.如权利要求4所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，所述外层筒体和内层筒体之间设置有隔热填充层。

6.如权利要求1所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，所述温场包括保温筒和加热器，所述保温筒顶部设置有环形上盖，所述导流筒吊装在环形上盖的内侧上。

7.如权利要求6所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长装置，其特征在于，所述保温筒包括从上至下依次设置的上筒体、中筒体和下筒体，所述上筒体与中筒体之间以及中筒体与下筒体之间均设置有环形定位板。

8.一种用于排除浮碴的锗单晶直拉生长炉，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的生长装置，所述生长装置设置在炉体外壳内。

9.如权利要求8所述的用于排除浮碴的锗单晶直拉生长炉，其特征在于，所述炉体外壳上设置有Ar气管道，所述Ar气管道将气体通入导流筒内并从过滤盘的过液孔排出。