[实用新型]基板处理装置用遮蔽件

说明书

本实用新型提供一种基板处理装置用遮蔽件，设置于基板处理装置的反应管的底部，防止从缓冲室供给的等离子体沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气，由此，能够改善晶舟的上下的基板处理的均匀性，并且，遮蔽加热器的辐射热，抑制与炉口部空间之间的气体的出入，能够提高炉口部的隔热性。该基板处理装置用遮蔽件具备：圆弧状的底板；从上述底板直立的多个支柱；以及由上述多个支柱沿垂直方向以多层支承的圆弧状的多个隔断板。

技术领域

本实用新型涉及一种在基板处理装置中使用的遮蔽件。

背景技术

半导体器件制造工序之一是成膜工序，通过利用了等离子体的CVD(ChemicalVapor Deposition)法或ALD(Atomic Layer Deposition)法在基板上堆积规定的薄膜。

但是，在基板处理装置中，从缓冲室供给的等离子体会沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气。由此，在晶舟的上下，基板处理变得不均匀。而且，炉口部的隔热性也需进一步改善。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种基板处理装置用遮蔽件，用于改善晶舟上下的基板处理的均匀性、以及炉口部的隔热性。

为了实现上述目的中的至少一个，本实用新型提供一种基板处理装置用遮蔽件，具备：圆弧状的底板；从所述底板直立的多个支柱；以及由所述多个支柱沿垂直方向以多层支承的圆弧状的多个隔断板。

实用新型效果

根据本实用新型的基板处理装置用遮蔽件，防止从缓冲室供给的等离子体沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气，从而在晶舟的上下，基板处理的均匀性得到改善，并且，遮蔽加热器的辐射热，抑制与炉口部空间之间的气体的出入，能够提高炉口部的隔热性。

附图说明

图1是以纵截面来表示作为基板处理装置的一例的远程等离子体处理装置所使用的处理炉部分的图。

图2是以横截面来表示图1所示的处理炉的图。

图3是本实用新型的基板处理装置用遮蔽件的立体图。

图4是本实用新型的基板处理装置用遮蔽件的侧视图。

图5是本实用新型的基板处理装置用遮蔽件的俯视图。

图6是本实用新型的基板处理装置用遮蔽件的仰视图。

图7是本实用新型的基板处理装置用遮蔽件的后视图。

附图标记说明

202：处理炉，207：加热器，200：晶圆，203：反应管，219：密封盖，220：气密部件，201：处理室，217：晶舟，218：晶舟支承台，310、320、330：气体供给管，410、420、430：喷管，423、433：缓冲室，451、452、461、462：电极保护管，424、434：缓冲室壁，425、435：气体供给孔，471、472、481、482：棒状电极，271：匹配器，270：高频电源，230：排气口，231：排气管，10：遮蔽件，11：底板，12：支柱，13：隔断板，14：螺纹孔，15：切缺口。

具体实施方式

以下，使用附图说明用于实施本实用新型的具体方式。为了便于理解，存在附图中的部件与实际样态相比，比例不一致或示意表示的情况，也存在附图彼此之间的同一部件的比例不一致的情况。

首先，参照图1、图2来说明在远程等离子体处理装置(以下称为基板处理装置)中所使用的处理炉202。如图1以及图2所示，在处理炉202上，设有作为用于加热晶圆200的加热装置(加热机构)的加热器207。加热器207具有上方封闭的圆筒形状的隔热部件和多根加热线。在加热器207的内侧，与加热器207为同心圆状地设有用于处理晶圆200的石英制的反应管203。