[实用新型]沉积设备

说明书

本申请提供了一种沉积设备，所述沉积设备包括：反应腔室，所述反应腔室具有顶部以及环绕在所述顶部四周的侧壁；设置在所述反应腔室内的载物平台，所述载物平台用于放置待处理组件；设置在所述反应腔室外侧的线圈组件，所述线圈组件用于产生磁场，所述磁场用于控制所述反应腔室内等离子体，以在所述待处理组件表面进行沉积和溅射；设置在所述反应腔室外侧的磁场调节装置，所述磁场调节装置用于调节所述反应腔室内磁场的分布，提高所述反应腔室内电场和磁场的均匀性。本方案通过磁场调节装置调节在反应腔室内的电场和磁场分布均匀性，可以提高等离子体分布的均匀性，降低反应腔室内边缘区域与中心区域的等离子体密度差异，有利于提高工艺均匀性。

技术领域

本实用新型涉及等离子体加工技术领域，尤其是涉及一种沉积设备。

背景技术

在等离子体处理装置中，射频电源向反应腔室供电以产生等离子体。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和置于腔室内并曝露在等离子体环境下的待加工晶圆或待处理工件相互作用，使其表面发生等离子体反应，使得晶圆或工件表面性能发生变化，从而完成等离子体刻蚀或者其他工艺过程。

现有的高密度等离子体(HDP)沉积技术中，通过反应腔室顶部线圈和侧壁线圈共同形成的电感耦合等离子体(ICP)所需电场和磁场，但是还是存在反应腔室中心区域和边缘区域电场和磁场以及等离子体分布不均匀的现象，在偏压的作用下，会导致晶圆的中心区域和边缘区域的溅射能力不同，边缘区域的溅射能力相对于中心区域的溅射能力较弱，影响晶圆表面膜层的形貌质量。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种沉积设备，通过磁场调节装置调节在反应腔室内的电场和磁场分布均匀性，可以提高等离子体分布的均匀性，降低反应腔室内边缘区域与中心区域的等离子体密度差异，有利于提高工艺均匀性。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种沉积设备，所述沉积设备包括：

反应腔室，所述反应腔室具有顶部以及环绕在所述顶部四周的侧壁；

设置在所述反应腔室内的载物平台，所述载物平台用于放置待处理组件；

设置在所述反应腔室外侧的线圈组件，所述线圈组件用于产生磁场，所述磁场用于控制所述反应腔室内的等离子体，以在所述待处理组件表面进行沉积和溅射；

设置在所述反应腔室外侧的磁场调节装置，所述磁场调节装置用于调节所述反应腔室内磁场的分布，提高所述反应腔室内电场和磁场的均匀性。

优选的，在上述的沉积设备中，所述线圈组件包括：环绕所述侧壁的侧壁线圈以及设置在所述顶部的顶部线圈；

所述磁场调节装置包括：至少一个磁场调节子装置，所述磁场调节子装置具有位于同一圆形上的多个磁性元件，所述圆形环绕所述侧壁。

优选的，在上述的沉积设备中，同一所述磁场调节子装置的多个磁性元件的磁场调节能力相同，且均匀分布在所述侧壁的四周。

优选的，在上述的沉积设备中，所述磁性元件直接固定在所述侧壁的外侧。

优选的，在上述的沉积设备中，所述磁场调节子装置包括环形支架，所述磁性元件固定在所述环形支架上，所述磁性元件通过所述环形支架安装在所述侧壁的外侧。

优选的，在上述的沉积设备中，所述环形支架可移动的安装在所述侧壁的外侧。

优选的，在上述的沉积设备中，具有多个所述磁场调节子装置；所述磁场调节子装置均匀分布在所述侧壁的外侧；

具有第一磁场调节子装置和第二磁场调节子装置，所述第一磁场调节子装置相对于所述第二磁场调节子装置靠近所述侧壁的中间区域；所述第一磁场调节子装置的磁场调节能力大于所述第二磁场调节子装置的磁场调节能力。