[实用新型]沉积设备

权利要求书

1.一种沉积设备，其特征在于，所述沉积设备包括：

反应腔室，所述反应腔室具有顶部以及环绕在所述顶部四周的侧壁；

设置在所述反应腔室内的载物平台，所述载物平台用于放置待处理组件；

设置在所述反应腔室外侧的线圈组件，所述线圈组件用于产生磁场，所述磁场用于控制所述反应腔室内的等离子体，以在所述待处理组件表面进行沉积和溅射；

设置在所述反应腔室外侧的磁场调节装置，所述磁场调节装置用于调节所述反应腔室内磁场的分布，提高所述反应腔室内电场和磁场的均匀性。

2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述线圈组件包括：环绕所述侧壁的侧壁线圈以及设置在所述顶部的顶部线圈；

所述磁场调节装置包括：至少一个磁场调节子装置，所述磁场调节子装置具有位于同一圆形上的多个磁性元件，所述圆形环绕所述侧壁。

3.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，同一所述磁场调节子装置的多个磁性元件的磁场调节能力相同，且均匀分布在所述侧壁的四周。

4.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述磁性元件直接固定在所述侧壁的外侧。

5.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述磁场调节子装置包括环形支架，所述磁性元件固定在所述环形支架上，所述磁性元件通过所述环形支架安装在所述侧壁的外侧。

6.根据权利要求5所述的沉积设备，其特征在于，所述环形支架可移动的安装在所述侧壁的外侧。

7.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，具有多个所述磁场调节子装置；所述磁场调节子装置均匀分布在所述侧壁的外侧；

具有第一磁场调节子装置和第二磁场调节子装置，所述第一磁场调节子装置相对于所述第二磁场调节子装置靠近所述侧壁的中间区域；所述第一磁场调节子装置的磁场调节能力大于所述第二磁场调节子装置的磁场调节能力。

8.根据权利要求7所述的沉积设备，其特征在于，所述第一磁场调节子装置中所述磁性元件的数量大于所述第二磁场调节子装置中所述磁性元件的数量；所有所述磁性元件的磁场强度相同；

或，所述第一磁场调节子装置中所述磁性元件的数量等于所述第二磁场调节子装置中所述磁性元件的数量；所述第一磁场调节子装置中所述磁性元件的磁场调节能力相同；所述第二磁场调节子装置中所述磁性元件的磁场调节能力相同；所述第一磁场调节子装置中所述磁性元件的磁场调节能力大于所述第二磁场调节子装置中所述磁性元件的磁场调节能力。

9.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，具有多个所述磁场调节子装置；所述磁场调节子装置的磁场调节能力相同；

在所述侧壁的中间区域指向所述顶部的方向以及在所述侧壁的中间区域指向所述载物平台的方向上，所述磁场调节子装置的分布密度均逐渐降低。

10.根据权利要求9所述的沉积设备，其特征在于，不同所述磁场调节子装置中所述磁性元件的数量相同；所有所述磁性元件的磁场调节能力相同。