[实用新型]基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件

说明书

本实用新型属于光电器件技术领域，具体为一种基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件。该光电器件包括绝缘衬底、ZrNBr/ZrNCl面内异质结、第一电极和第二电极；面内异质结层位于绝缘衬底的表面上；面内异质结表面上设有防反射膜，防反射膜的两侧连接第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极面内异质结连接，光通过防反射膜进异质结使之发生光伏效应，得到稳定的光电流，这对发展光电池有重要的意义。此外，设置防反射膜可以实现较高的光电转换效率。

技术领域

本实用新型属于光电器件技术领域，具体涉及一种具有紫外探测性能的光电器件。

背景技术

基于二维宽带隙半导体材料的紫外光电探测具有快速响应、低暗电流及高探测率等优异性能，但通常难以同时具备多项优异性能指标，这是目前紫外光电探测领域的一大挑战。

传统的光电器件受制于单一材料的光电转换，无法提高光电转换效率，所以本申请提出利用两种材料组合，形成一个面内异质结提高光电转换效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种结构简单、光电转换效率的基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件。

本实用新型通过选用两种各自具备良好性质的半导体材料组成异质结，来适应不断更新的紫外光电探测器的性能要求。

本实用新型所提供的基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件，包括绝缘衬底、ZrNBr/ZrNCl 面内异质结、第一电极和第二电极；其中：

所述的面内异质结层位于绝缘衬底的表面上；

所述的第一电极和第二电极分别位于ZrNBr/ZrNCl 面内异质结表面上的两端，或者第一电极和第二电极分别位于ZrNBr/ZrNCl面内异质结中的两端，或者第一电极和第二电极分别位于绝缘衬底的两端，并且第一电极、第二电极与ZrNBr/ZrNCl 面内异质结的界面为绝缘衬底的表面。

进一步地，所述光电池器件还包括防反射膜，用于透光；所述防反射膜位于所述面内异质结的表面上。

本实用新型实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：

本实用新型的光电池器件仅使用一层ZrNBr/ZrNCl 面内异质结，不但结构简单，而且具有良好的光响应特性，光响应电流对偏振光相位角度具有正弦或余弦的响应特性。

进一步地，设置防反射膜可以具有较高的光电转换效率。设置防反射膜，预估可以提高5%左右的光电转换效率。

附图说明

图1为本实用新型的光电探测器的结构示意图。

图中标号：1为绝缘衬底，2为ZrNBr/ZrNCl 面内异质结，3为第一电极，4为第二电极，5为防反射膜。

具体实施方式

在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的实施方式作进一步地详细描述。

本实用新型第一实施方式，涉及一种紫外探测性能的光电器件。图1是该光电器件的结构示意图。如图1所示，该光电器件包括绝缘衬底1、ZrNBr/ZrNCl 面内异质结2、第一电极3和第二电极4。ZrNBr/ZrNCl 面内异质结2位于绝缘衬底1的表面上。可以理解，ZrNBr和ZrNCl是已知材料，而且面内异质结层2的厚度小于50nm。