[实用新型]一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备有效
申请号: | 202121875855.0 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN216288321U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 尹斌 | 申请(专利权)人: | 苏州矽利康测试系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 顾品荧 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 测试 cis 高温 设备 | ||
本实用新型公开了一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备,包括测试底座和多个测试探针,测试底座的中心位置设置有嵌入式测试槽且嵌入式测试槽上设置有多个测试孔,每个测试探针均能卡入到测试孔上,测试底座上还设置有多个卡接槽和连接孔组,多个卡接槽分别均匀的设置在嵌入式测试槽的四周,每个连接孔组均位于两个卡接槽之间,本实用新型的目的在于提供一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备,结构简单,既能进行常温测试,又能进行高温测试。
技术领域
本实用新型涉及CIS晶圆领域,尤其涉及一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备。
背景技术
CIS晶圆的测试主要是使用专属的测试机来测试,并且在测试中,通常会用到具有多根探针的探针卡,CIS晶圆的芯片上设置有焊垫,将探针卡的探针与芯片的焊垫相互接触,形成电连接以进行电性测试。但现有探针卡主要是对CIS晶圆进行常温测试;探针卡在高温情况下,其上的探针与芯片的焊垫会产生接触不良的情况,因此无法进行高温测试。因此对于一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备,现有探针卡主要是对CIS晶圆进行常温测试;探针卡在高温情况下,其上的探针与芯片的焊垫会产生接触不良的情况,因此无法进行高温测试是我们要解决的问题。
实用新型内容
为克服上述缺点,本实用新型的目的在于提供一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备,结构简单,既能进行常温测试,又能进行高温测试。
为了达到以上目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备,包括测试底座和多个测试探针,测试底座的中心位置设置有嵌入式测试槽且嵌入式测试槽上设置有多个测试孔,每个测试探针均能卡入到测试孔上,测试底座上还设置有多个卡接槽和连接孔组,多个卡接槽分别均匀的设置在嵌入式测试槽的四周,每个连接孔组均位于两个卡接槽之间。
本实用新型一种用于测试CIS晶圆的高温测试设备的有益效果是,由于测试孔的孔径是由上至下依次减小,测试探针的端部能卡到测试孔上使试探针整体保持稳定。根据待测试CIS晶圆上要测的芯片数量,选择相同数量的测试探针并将其卡入到测试孔上;再使测试探针与CIS晶圆的芯片接触,形成电连接;之后将接口卡到卡接槽,接口与外部测试机连接能实现CIS晶圆的电性测试。测试底座和多个测试探针结构相对比较稳定,不仅可以进行常温测试,还可以在高温(例如85℃)条件下进行测试,可靠性强,能避免在高温测试下发生接触不良的情况;同时测试底座和多个测试探针可以采用耐高温材料(例如陶瓷或者钢件或其他)耐高温材料,进一步提高可靠性、避免在高温测试下发生接触不良的情况。这种结构的高温测试设备,结构简单,既能进行常温测试,又能进行高温测试。连接孔组的设置是方便将测试底座进行固定。
作为本实用新型的进一步改进是,每个连接孔组均包括设置在测试底座上的第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔且第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔的孔径依次减小。第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔的设置方便测试底座进行固定。
作为本实用新型的进一步改进是,多个测试孔呈多排排列。
作为本实用新型的进一步改进是,每个卡接槽均为不规则形状。
作为本实用新型的进一步改进是,每个测试孔的孔径均由上至下依次减小。测试孔的孔径是由上至下依次减小,测试探针的端部能卡到测试孔上使试探针整体保持稳定。
作为本实用新型的进一步改进是,还包括防尘盖,防尘盖上设置有环形凸块,测试底座上还设置有环形凸台,环形凸块能卡入环形凸台。不使用测试底座时,通过环形凸台、环形凸块将防尘盖盖在测试底座上,避免测试底座受到污染。
作为本实用新型的进一步改进是,还包括测试台,测试台上设置有开口和螺母座,测试底座上还设置有螺纹孔,测试底座能卡入开口并能通过螺母座、螺纹孔和螺母组件锁紧在测试台上。测试底座可以通过连接孔组锁紧在测试台上;同时还可以通过开口、螺母座、螺纹孔和螺母组件进一步保持稳定。进一步方便待测试CIS晶圆进行电性测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造