[实用新型]一种太阳电池锡铜金属栅线的结构

说明书

本申请涉及一种太阳电池锡铜金属栅线的结构，包括设置在太阳电池硅基体上的氮化硅层，按行或列均匀分布在氮化硅层上的若干烧穿型银浆柱点，烧穿型银浆柱点穿透氮化硅层，在每行或每列烧穿型银浆柱点上设置栅线，烧穿型银浆柱点的一端与太阳电池硅基体耦合，另一端与栅线耦合，该栅线为锡铜金属栅线。本申请的太阳电池栅线结构中，采用高导电性的锡膏代替银浆制备成锡铜金属栅线，锡铜金属栅线替代银浆栅线，不仅降低了太阳电池的串联电阻，而且降低了太阳电池的金属化成本。

技术领域

本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池锡铜金属栅线的结构。

背景技术

近几年，高效光电转换太阳电池受到太阳电池行业的持续关注，太阳电池光电转换效率因此不断的得到提升。尤其对于载流子选择性电池，如TOPCon电池和HJT电池，国内TOPCon和HJT太阳电池新建产线的产能呈爆发式增加，而作为正面无栅线的IBC电池和TBC电池的产能也在不断增加。对于TOPCon电池，正面的栅线采用连续烧穿型银铝浆料，该工艺形成的栅线不仅与硅基体接触，而且会引起严重的载流子复合，从而导致太阳电池无法获得更高的开路电压。对于半导体与金属接触导致的载流子复合问题，采用双层印刷工艺，具体的，下层采用点接触式烧穿型浆料，保证接触电阻的同时，有效地降低了金属-半导体的复合，上层采用线式连续非烧穿型的浆料，使所得到的栅线具有优良的线电阻，进一步的减少金属对多晶硅层的破坏，最大限度发挥多晶硅钝化结构的优点。同时传统的IBC电池和新型的TBC电池的背面电极，也同样采用双层印刷工艺制备栅线电极。

然而，双层印刷工艺使得TOPCon、IBC电池的串联电阻增加，同时也使太阳电池的金属化成本增加。

实用新型内容

本申请提供了一种太阳电池锡铜金属栅线的结构，以解决传统太阳电池采用双层印刷工艺制备的栅线串联电阻大、太阳电池金属化成本高的问题。

本申请解决上述技术问题所采取的技术方案如下：

一种太阳电池锡铜金属栅线的结构，包括：设置在太阳电池硅基体上的氮化硅层，按行或列均匀分布在所述氮化硅层上的若干烧穿型银浆柱点，所述烧穿型银浆柱点穿透所述氮化硅层，设置在每行或每列所述烧穿型银浆柱点上的栅线，所述烧穿型银浆柱点的一端与所述太阳电池硅基体耦合，所述银浆柱点的另一端与所述栅线耦合，所述栅线为锡铜金属栅线。

进一步的，所述烧穿型银浆柱点的直径为20-100μm。

进一步的，相邻的所述烧穿型银浆柱点之间的距离为100-500μm。

进一步的，所述栅线的宽度为30-100μm。

进一步的，所述栅线的高宽比为0.2-1.5。

进一步的，所述烧穿型银浆柱点的材料包括银浆和银铝浆料。

本申请提供的技术方案包括以下有益技术效果：

本申请提供的太阳电池锡铜金属栅线结构，包括设置在太阳电池硅基体上的氮化硅层，按行或列均匀分布在氮化硅层上的若干烧穿型银浆柱点，烧穿型银浆柱点穿透氮化硅层，设置在每行或每列烧穿型银浆柱点上的栅线，烧穿型银浆柱点的一端与太阳电池硅基体耦合，另一端与栅线耦合，该栅线为锡铜金属栅线。本申请的太阳电池锡铜金属栅线结构中，采用高导电性的锡膏代替银浆制备成锡铜金属栅线，锡铜金属栅线替代了银浆栅线，不仅降低了太阳电池的串联电阻，而且降低了太阳电池的金属化成本。

附图说明

图1为本申请实施例提供的太阳电池锡铜金属栅线结构示意图；

图2为本申请实施例提供的太阳电池锡铜金属栅线结构俯视示意图。

附图标记说明：1-栅线，2-氮化硅层，3-太阳电池硅基体，4-烧穿型银浆柱点。

具体实施方式