[实用新型]射频功率放大芯片和射频前端模组

说明书

本实用新型公开了一种射频功率放大芯片和射频前端模组，该射频功率放大芯片，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；金属凸块用于与接地端相连；至少部分金属凸块与晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。本技术方案减少射频功率放大芯片的损耗，同时提高射频功率放大芯片的散热能力，进而提高射频功率放大芯片的性能。

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频功率放大芯片和射频前端模组。

背景技术

在无线通信系统中，射频功率放大芯片的作用越来越重要，其被普遍地应用在无线远程通信、定位导航、卫星通信等系统中。在射频前端模组中，射频功率放大芯片作为信号发射机的重要模块，其工作带宽、输出功率、附加效率以及其线性度等性能决定了无线通信系统的质量。

射频功率放大芯片主要是利用晶体管的电流控制作用，或者射频功率放大芯片中的场效应管的电压控制作用，将电源的功率转换为根据输入信号变化的电流。然而，当该射频功率放大芯片应用在射频前端模组中时，现有的射频功率放大芯片中晶体管阵列的每一晶体管连接到功率放大电路中的连接方式会导致射频功率放大芯片产生较大的损耗，从而对无线通信系统的性能造成不利的影响。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种射频功率放大芯片和射频前端模组，以解决射频功率放大芯片的损耗较大的问题。

一种射频功率放大芯片，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；

所述金属凸块用于与接地端相连；

至少部分所述金属凸块与所述晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。

进一步地，所述金属凸块的数量小于或等于所述所述晶体管阵列中所述晶体管的数量。

进一步地，所述晶体管阵列中的所述晶体管呈间隔排布。

进一步地，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块，所述晶体管阵列包括第一晶体管；所述第一晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。

进一步地，所述晶体管阵列还包括第二晶体管，所述第二晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。

进一步地，所述至少一个金属凸块还包括第二金属凸块；所述晶体管阵列还包括第二晶体管；

所述第二晶体管的发射极区域与所述第二金属凸块抵接。

进一步地，所述晶体管阵列还包括第三晶体管，所述第三晶体管的发射极区域通过金属导线与所述第一金属凸块电连接。

进一步地，所述金属凸块的材质为铜。

进一步地，所述射频功率放大芯片还包括供电金属凸块，所述供电金属凸块与供电端相连；所述晶体管阵列中的至少一个所述晶体管的集电极区域与所述供电金属凸块抵接。

一种射频功率放大芯片，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；

所述金属凸块用于与接地端相连；

所述晶体管阵列中的至少部分晶体管的发射极区域限定一个虚拟矩形区域，所述金属凸块均匀分布在所述虚拟矩形区域中，以使所述至少部分晶体管中的每个晶体管的发射极区域到邻近金属凸块的距离之差小于第一预设值；所述至少部分晶体管中的每个晶体管的发射极区域通过金属导线与邻近金属凸块电连接。

进一步地，所述第一预设值小于所述晶体管阵列中相邻两个晶体管的发射极区域的间距D的十分之一。