[实用新型]射频功率放大芯片和射频前端模组

权利要求书

1.一种射频功率放大芯片，其特征在于，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；

所述金属凸块用于与接地端相连；

至少部分所述金属凸块与所述晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。

2.如权利要求1所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述金属凸块的数量小于或等于所述所述晶体管阵列中所述晶体管的数量。

3.如权利要求2所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述晶体管阵列中的所述晶体管呈间隔排布。

4.如权利要求3所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块，所述晶体管阵列包括第一晶体管；所述第一晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。

5.如权利要求4所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述晶体管阵列还包括第二晶体管，所述第二晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。

6.如权利要求4所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述至少一个金属凸块还包括第二金属凸块；所述晶体管阵列还包括第二晶体管；

所述第二晶体管的发射极区域与所述第二金属凸块抵接。

7.如权利要求4所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述晶体管阵列还包括第三晶体管，所述第三晶体管的发射极区域通过金属导线与所述第一金属凸块电连接。

8.如权利要求1所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述金属凸块的材质为铜。

9.如权利要求1所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述射频功率放大芯片还包括供电金属凸块，所述供电金属凸块与供电端相连；所述晶体管阵列中的至少一个所述晶体管的集电极区域与所述供电金属凸块抵接。

10.一种射频功率放大芯片，其特征在于，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；

所述金属凸块用于与接地端相连；

所述晶体管阵列中的至少部分晶体管的发射极区域限定一个虚拟矩形区域，所述金属凸块均匀分布在所述虚拟矩形区域中，以使所述至少部分晶体管中的每个晶体管的发射极区域到邻近金属凸块的距离之差小于第一预设值；所述至少部分晶体管中的每个晶体管的发射极区域通过金属导线与邻近金属凸块电连接。

11.所述如权利要求10所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述第一预设值小于所述晶体管阵列中相邻两个晶体管的发射极区域的间距D的十分之一。

12.所述如权利要求10所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述至少部分晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块；所述第一金属凸块设置在所述第一晶体管的发射极区域和所述第二晶体管的发射极区域之间。

13.所述如权利要求10所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述至少部分晶体管包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块和第二金属凸块，所述第一金属凸块设置在所述第一晶体管的发射极区域和所述第二晶体管的发射极区域之间；所述第二金属凸块设置在所述第二晶体管和所述第三晶体管之间。

14.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板和权利要求1至13任一项所述的射频功率放大芯片；所述射频功率放大芯片采用倒扣工艺设置在所述基板上。