[实用新型]基于陶瓷封装的LED器件有效
| 申请号: | 202121521862.0 | 申请日: | 2021-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN215377437U | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 封波;李玲 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/58;H01L33/56;H01L33/50 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 330096 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 陶瓷封装 led 器件 | ||
本实用新型提供了一种基于陶瓷封装的LED器件,包括:陶瓷基板及形成于陶瓷基板表面的焊盘结构;焊接于焊盘表面的LED芯片;设置于LED芯片与陶瓷基板相对的发光一侧表面的双层膜,其中,双层膜包括相互接触的荧光膜和硅胶膜,且荧光膜与LED芯片发光一侧表面接触;围设于LED芯片及双层膜四周的高反射率白胶,有效解决现有陶瓷封装的LED器件照度低的技术问题,保证封装产品的密封性及出光颜色均匀性的同时进一步收窄发光角度。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其是一种基于陶瓷封装的LED器件。
背景技术
由于LED器件具有能耗低、寿命长等优点,已经广泛应用于通用照明领域。而LED器件体积小、发光密度高等特点,使得其在特殊照明领域具备独特的优势,例如对于智能手机的拍照补光,LED器件是最佳的选择。
目前,应用于智能手机拍照补光的陶瓷封装LED器件普遍采用3种封装方式,且多采用5面发光的倒装LED芯片。其中,第一种封装方式如图1所示,封装过程中先将LED芯片2焊接于陶瓷基板1表面,之后在LED芯片2发光一侧表面喷涂荧光粉或者贴荧光胶层3,最后使用硅胶进行压膜形成压膜层4;第二种封装方式如图2所示,封装过程中先将LED芯片2焊接于陶瓷基板1表面,之后在LED芯片2发光一侧表面喷涂荧光粉或者贴荧光胶层3,并在LED芯片和荧光粉或者荧光胶层四周围设高反射率白胶5,最后使用硅胶进行压膜形成压膜层4;第三种封装方式如图3所示,封装过程中先将LED芯片2焊接于陶瓷基板1表面,之后在LED芯片2发光一侧表面喷涂荧光粉或者贴荧光胶层3,最后在LED芯片和荧光粉或者荧光胶层四周围设高反射率白胶5。
对于封装后的产品,采用第一种封装方式得到的LED器件发光角度一般在140°左右,第二种和第三种封装方式发光角度在120°左右。发光角度较大,会导致中心照度不够。且第三种封装方式中,因为白胶裸露在外,生产过程中出现异物不良、边角破损不良的概率较高,同时荧光胶层上方无压模层和扩散剂,会导致LED器件的发光颜色均匀性较差。另外,支架类产品因为有碗杯的存在,发光角度一般在115°左右。与之相比,陶瓷封装的LED器件经常出现虽然光通量高于支架类产品,但照度却更低的问题。
实用新型内容
为了克服以上不足,本实用新型提供了一种基于陶瓷封装的LED器件,有效解决现有陶瓷封装的LED器件照度低的技术问题。
本实用新型提供的技术方案为:
一种基于陶瓷封装的LED器件,包括:
陶瓷基板及形成于所述陶瓷基板表面的焊盘结构;
焊接于焊盘表面的LED芯片;
设置于所述LED芯片与陶瓷基板相对的发光一侧表面的双层膜,其中,所述双层膜包括相互接触的荧光膜和硅胶膜,且所述荧光膜与LED芯片发光一侧表面接触;及
围设于所述LED芯片及双层膜四周的高反射率白胶。
进一步优选地,所述LED器件还包括压于所述双层膜及高反射率白胶表面的硅胶层。
进一步优选地,所述高反射率白胶的上表面与上层膜的上表面齐平。
进一步优选地,所述双层膜中,硅胶膜的厚度大于荧光膜的厚度。
进一步优选地,所述双层膜的总厚度在200μm以上,其中,荧光膜的厚度在30-80nm之间。
进一步优选地,所述硅胶层中均匀掺杂有光扩散剂。
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