[实用新型]基于陶瓷封装的LED器件有效
| 申请号: | 202121521862.0 | 申请日: | 2021-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN215377437U | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 封波;李玲 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/58;H01L33/56;H01L33/50 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 330096 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 陶瓷封装 led 器件 | ||
1.一种基于陶瓷封装的LED器件,其特征在于,包括:
陶瓷基板及形成于所述陶瓷基板表面的焊盘结构;
焊接于焊盘表面的LED芯片;
设置于所述LED芯片与陶瓷基板相对的发光一侧表面的双层膜,其中,所述双层膜包括相互接触的荧光膜和硅胶膜,且所述荧光膜与LED芯片发光一侧表面接触;及
围设于所述LED芯片及双层膜四周的高反射率白胶。
2.如权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述LED器件还包括压于所述双层膜及高反射率白胶表面的硅胶层。
3.如权利要求1或2所述的LED器件,其特征在于,所述高反射率白胶的上表面与上层膜的上表面齐平。
4.如权利要求1或2所述的LED器件,其特征在于,所述双层膜中,硅胶膜的厚度大于荧光膜的厚度。
5.如权利要求4所述的LED器件,其特征在于,所述双层膜的总厚度在200μm以上,其中,荧光膜的厚度在30-80nm之间。
6.如权利要求2所述的LED器件,其特征在于,所述硅胶层中均匀掺杂有光扩散剂。
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