[实用新型]晶片清洗装置

说明书

本实用新型涉及半导体元件加工技术领域，公开一种晶片清洗装置，对切片后的晶片进行清洗，清洗装置包括清洗槽和朝清洗槽内喷射清洗液的水流喷射管，清洗槽内设有放置晶片的支撑孔板，清洗槽底部开设清洗液排放口。通过支撑孔板放置晶片，采用多根喷射支管向晶片喷射清洗液，无需注意晶片的摆放方式，喷射支管喷出的清洗液的冲力可充分洗刷晶片表面的泥污；清洗槽槽底的漏斗结构可避免清洗结束后泥污沉积在清洗槽内，清洗槽上可拆卸侧板的设置可满足清洗槽自身的清洁操作，在一次清洗作业结束后，可通过拆卸该可拆卸侧板来将清洗槽内壁的泥污清理掉。

技术领域

本实用新型涉及半导体元件加工技术领域，具体地，涉及一种晶片清洗装置。

背景技术

随通讯、电子和能源等领域的飞速发展，半导体晶片在未来具有非常广阔的市场前景。目前半导体衬底的加工工序一般包括切片、倒角、研磨、抛光和清洗。切片工序是将晶棒固定在切割台上利用切割泥浆在多线切割的技术上进行加工。因此，切片之后晶片上会有残留的泥浆，残留泥浆的主要成分是粉末物质（钻石粉、碳化硅和碳化硼）和切割油（植物油和矿物油）。从切割机上取出后晶片表面会有残留的泥浆，如果不清洗干净则容易造成晶片之间难以分离、碎片、划伤等质量问题。

公开号为CN211071042U的专利记载了一种多线切割晶片表面油砂清洗装置，晶片是安装在晶片固定块上，由翻转轴带动料台旋转进行清洗，采用该装置清洗晶片时还需增加晶片安装至晶片固定块上的步骤，将严重影响晶片生产效率，且对于体积较小的晶片来说，无法保证稳定安装至晶片固定块上，再者晶片在安装过程中还可能导致晶片损坏的问题。

发明内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷，提供一种简易的、有效清洗晶片表面泥浆的晶片清洗装置。

本实用新型的目的通过以下技术方案实现：

一种晶片清洗装置，对切片后的晶片进行清洗，清洗装置包括清洗槽和朝清洗槽内喷射清洗液的水流喷射管，清洗槽内设有放置晶片的支撑孔板，清洗槽底部开设清洗液排放口。

进一步地，清洗槽槽底呈漏斗结构，清洗液排放口位于漏斗结构最低点处。

更进一步地，水流喷射管设置在清洗槽侧板上，水流喷射管包括水流供应总管和多根喷射支管。

进一步地，清洗槽的侧板中至少有一块为可拆卸侧板。

更进一步地，与可拆卸侧板相邻的两块侧板在与可拆卸侧板连接位置处设有凹槽，凹槽长度沿清洗槽高度方向延伸，凹槽供可拆卸侧板嵌插定位。

进一步地，清洗槽槽顶设有活动盖板。

进一步地，清洗装置还包括接收排放的清洗液的沉淀槽。

更进一步地，沉淀槽和清洗液排放口之间通过弯管接通。

再进一步地，沉淀槽内设有至少一块过滤板，过滤板将沉淀槽分成多个沉淀隔槽，弯管与沉淀槽第一端的沉淀隔槽连通，沉淀槽第二端的沉淀隔槽上开设有清洗液出口。

还进一步地，清洗液出口与水流喷射管之间连通。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

通过支撑孔板放置晶片，采用多根喷射支管向晶片喷射清洗液，无需注意晶片的摆放方式，喷射支管喷出的清洗液的冲力可充分洗刷晶片表面的泥污；

清洗槽槽底的漏斗结构可避免清洗结束后泥污沉积在清洗槽内，清洗槽上可拆卸侧板的设置可满足清洗槽自身的清洁操作，在一次清洗作业结束后，可通过拆卸该可拆卸侧板来将清洗槽内壁的泥污清理掉；

沉淀槽可实现清洗液的回收，沉淀槽内设置过滤板，使清洗液能经过多级沉淀过滤，最终从最后一级沉淀隔槽流出的清洗液可直接循环至水流喷射管内再利用，降低了清洗成本。

附图说明