[实用新型]提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台

说明书

本实用新型提供了一种提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台。其构造为：在下光罩与上光罩设置有晶片，晶片的一端为圆边端，晶片的另一端为平边端，在所述平边端处设置有晶片定位夹层；其中，晶片定位夹层的厚度为355μm，晶片的厚度为360～380mm；晶片定位夹层为全圆定位夹层；晶片定位夹层的两端均支撑在下光罩和上光罩之间。通过更换全圆定位夹层，本实用新型使上光罩边缘吸真空效果明显改善，吸真空时上光罩不会在晶片边缘位置发生编写，且边缘吸真空速度明显加快。本实用新型将双向光罩组277μm半圆定位夹层更换为355μm全圆定位夹层，能够避免吸真空时上光罩边缘位置形变，从而改善双向晶片正面边缘曝光不良问题，且正面边缘吸真空速度有所提高。

技术领域

本实用新型涉及晶粒加工设备技术领域，具体涉及一种提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台。

背景技术

瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。在TVS的构造中，晶粒是其核心部件。曝光结构机台是制造TVS晶粒的重要设备。现有技术中，常规曝光结构机台存在局部切割偏位的情况，边材区域晶粒Die size大于其它位置晶粒，导致切割DIE正、反面，一面正常、一面切偏。

发明内容

本实用新型旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台，以解决常规曝光结构机台在切割DIE正、反面时，一面正常、一面切偏的技术问题。

为实现以上技术目的，本实用新型采用以下技术方案：

提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台，包括下光罩，上光罩，晶片，圆边端，平边端，晶片定位夹层，其中，在下光罩与上光罩设置有晶片，晶片的一端为圆边端，晶片的另一端为平边端，在所述平边端处设置有晶片定位夹层。

作为优选，特征在于，晶片定位夹层的厚度为355μm，晶片的厚度为360～380mm。

作为优选，特征在于，晶片定位夹层为全圆定位夹层。

作为优选，特征在于，晶片定位夹层的两端均支撑在下光罩和上光罩之间。

本实用新型提供了一种提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台。该技术方案通过更换全圆定位夹层，使上光罩边缘吸真空效果明显改善，吸真空时上光罩不会在晶片边缘位置发生编写，且边缘吸真空速度明显加快。本实用新型将双向光罩组277μm半圆定位夹层更换为355μm全圆定位夹层，能够避免吸真空时上光罩边缘位置形变，从而改善双向晶片正面边缘曝光不良问题，且正面边缘吸真空速度有所提高。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图中：

1、下光罩 2、上光罩 3、晶片 4、圆边端

5、平边端 6、晶片定位夹层。

具体实施方式

以下将对本实用新型的具体实施方式进行详细描述。为了避免过多不必要的细节，在以下实施例中对属于公知的结构或功能将不进行详细描述。以下实施例中所使用的近似性语言可用于定量表述，表明在不改变基本功能的情况下可允许数量有一定的变动。除有定义外，以下实施例中所用的技术和科学术语具有与本实用新型所属领域技术人员普遍理解的相同含义。

实施例1

提高双向TVS晶粒对准能力的曝光结构机台，如图1所示，包括下光罩1，上光罩2，晶片3，圆边端4，平边端5，晶片定位夹层6，其中，在下光罩1与上光罩2设置有晶片3，晶片3的一端为圆边端4，晶片3的另一端为平边端5，在所述平边端5处设置有晶片定位夹层6。

实施例2