[实用新型]一种基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路

说明书

本实用新型公开了一种基于RCD吸收自举供电驱动O‑ringMOS管的电路，设置于主功率电路处，所述主功率电路中串联连接的晶体管Q1和晶体管Q2两端加设输入电压，BUCK电感L1和一电容串联连接后并联于晶体管Q2的两端，提供输出电压的电感RL和晶体管Q3串联连接后并联于所述电容的两端；基于RCD吸收自举供电驱动O‑ringMOS管的电路并联于BUCK电感L1的两端，包括依次串联连接的二极管D2、限流电阻R2和电容C2，二极管D2的正极朝向输入电压，限流电阻R2和电容C2之间设置有为O‑ringMOS管供电的接线点。本实用新型的基于RCD吸收自举供电驱动O‑ringMOS管的电路具有结构简单、无需额外增设硬件电路、成本低廉和可靠性高等优点。

技术领域

本实用新型涉及MOS管驱动电路技术领域，尤其涉及一种基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路。

背景技术

如图1所示为典型的BUCK电路同步整流加O-ring电路，在正常工作下，供电需要经过二极管D1整流、电阻R1对充电电流限流以及电容C1储能，以提供稳定的VCC来给驱动供电，可以用驱动芯片或辅助绕组驱动。例如增加辅助变压器等，但是供电电路复杂且性价比不高，辅助变压器还存在绝缘安规等问题，对电源可靠性也是一个潜在的风险。且实际运行中需要增加硬件电路，对于低成本电源来说没有成本优势。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、无需额外增设硬件电路、成本低廉和可靠性高的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路。

为解决上述技术问题，本实用新型提出的技术方案为：

一种基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，设置于主功率电路处，所述主功率电路中串联连接的晶体管Q1和晶体管Q2两端加设输入电压，BUCK电感L1和一电容串联连接后并联于晶体管Q2的两端，提供输出电压的电感R_L和晶体管Q3串联连接后并联于所述电容的两端；基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路并联于BUCK电感L1的两端，包括依次串联连接的二极管D2、限流电阻R2和电容C2，二极管D2的正极朝向输入电压，限流电阻R2和电容C2之间设置有为O-ring MOS管供电的接线点。

作为上述技术方案的进一步改进：

基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路还包括稳压管Z1，所述稳压管Z1并联于电容C2的两端，且负极朝向接线点。

所述晶体管Q1为N沟道耗尽型mos管。

所述晶体管Q2为N沟道耗尽型mos管。

所述晶体管Q3为N沟道耗尽型mos管。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，设置于主功率电路处，主功率电路中串联连接的晶体管Q1和晶体管Q2两端加设输入电压，BUCK电感L1和一电容串联连接后并联于晶体管Q2的两端，提供输出电压的电感RL和晶体管Q3串联连接后并联于所述电容的两端。本实用新型的电路并联于BUCK电感L1的两端，包括依次串联连接的二极管D2、限流电阻R2和电容C2，二极管D2的正极朝向输入电压，限流电阻R2和电容C2之间设置有为O-ring MOS管供电的接线点。即本实用新型通过对RCD电路变形，在BUCK模式的主功率电路中为O-ring MOS管提供驱动，主功率电路的输入电压大于输出电压，便能够为O-ring MOS管充电，不增加额外的电路，结构简单，性价比极高，可以实现低成本提供稳定供电。

附图说明

图1是现有的BUCK电路同步整流加O-ring电路的示意图；

图2是本实用新型的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路的示意图；