[实用新型]一种基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路

权利要求书

1.一种基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，其特征在于：设置于主功率电路(1)处，所述主功率电路(1)中串联连接的晶体管Q1和晶体管Q2两端加设输入电压，BUCK电感L1和第一电容串联连接后并联于晶体管Q2的两端，提供输出电压的电感RL和晶体管Q3串联连接后并联于所述第一电容的两端；

基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路并联于BUCK电感L1的两端，包括依次串联连接的二极管D2、限流电阻R2和储能电容C2，二极管D2的正极朝向输入电压，限流电阻R2和储能电容C2之间设置有为O-ring MOS管供电的接线点(2)。

2.根据权利要求1所述的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，其特征在于：还包括稳压管Z1，所述稳压管Z1并联于电容C2的两端，且负极朝向接线点(2)。

3.根据权利要求1所述的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，其特征在于：所述晶体管Q1为N沟道耗尽型mos管。

4.根据权利要求1所述的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，其特征在于：所述晶体管Q2为N沟道耗尽型mos管。

5.根据权利要求1所述的基于RCD吸收自举供电驱动O-ring MOS管的电路，其特征在于：所述晶体管Q3为N沟道耗尽型mos管。