[实用新型]一种热电堆芯片、热电堆红外传感器及测温枪

说明书

本实用新型公开了一种热电堆芯片、热电堆红外传感器及测温枪，涉及红外探测技术领域，以使得热电堆芯片能够抵抗热冲击，在提高热电堆芯片输出的热电动势信号准确性的情况下，提高其测温准确性。所述热电堆芯片包括：第一热电堆芯片部、第二热电堆芯片部和反射层。第二热电堆芯片部与第一热电堆芯片部串联。第二热电堆芯片部用于在热电堆芯片处于工作状态时抵消第一热电堆芯片部产生的热冲击信号。反射层设置在第二热电堆芯片部上。反射层用于反射辐射至第二热电堆芯片部的红外线。所述热电堆红外传感器包括封装壳体和所述热电堆芯片。所述热电堆芯片应用于所述测温枪中。

技术领域

本实用新型涉及红外探测技术领域，尤其涉及一种热电堆芯片、热电堆红外传感器及测温枪。

背景技术

塞贝克效应是指由于两种不同导电体或半导体的温度存在差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。而热电堆芯片正是一种基于上述塞贝克效应对待测对象的温度进行测量的芯片。

但是，现有的热电堆芯片在实际应用中，当热电堆芯片在受到如环境温度等的热冲击后，该热电堆芯片中的热电堆组件的输出电压会出现输出跃变，进而使得热电堆芯片输出的热电动势信号的准确性降低，最终导致基于该热电动势信号转换出的待测对象的检测温度与实际温度不符，使得热电堆芯片的测温精度较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种热电堆芯片、热电堆红外传感器及测温枪，以使得热电堆芯片能够抵抗热冲击，在提高热电堆芯片输出的热电动势信号准确性的情况下，提高其测温精度。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种热电堆芯片，该热电堆芯片包括：第一热电堆芯片部；

与第一热电堆芯片部串联的第二热电堆芯片部；第二热电堆芯片部用于在热电堆芯片处于工作状态时抵消第一热电堆芯片部产生的热冲击信号；

以及设置在第二热电堆芯片部上的反射层；反射层用于反射辐射至第二热电堆芯片部的红外线。

与现有技术相比，本实用新型提供的热电堆芯片中，第一热电堆芯片部和第二热电堆芯片部串联。并且，第二热电堆芯片部能够在热电堆芯片处于工作状态时抵消第一热电堆芯片部产生的热冲击信号。同时，第二热电堆芯片部上设置有反射层。该反射层可以反射辐射至第二热电堆芯片部的红外线。基于此，当本实用新型提供的热电堆芯片处于工作状态时，第一热电堆芯片部能够对待测对象辐射的红外能进行探测，输出用于表征待测对象温度的热电动势信号。而第二热电堆芯片部上设置有反射层，无法探测到待测对象辐射的红外能，故不会对正常测温过程造成影响。并且，因热电堆芯片在受到热冲击后，不管是第一热电堆芯片部，还是第二热电堆芯片部，二者的温度均会受到热冲击的影响发生快速变化，即此时除了第一热电堆芯片部可以输出正常测温的热电动势信号外，第一热电堆芯片部和第二热电堆芯片部还均会产生热冲击信号。同时，因第二热电堆芯片部与第一热电堆芯片部串联，其产生的热冲击信号能够在热电堆芯片处于工作状态时抵消第一热电堆芯片部产生的热冲击信号。也就是说，无论热电堆芯片在工作过程中是处于正常测温状态还是受到热冲击后处于异常状态，其输出的信号仅为用于表征待测对象温度的热电动势信号，从而使得热电堆芯片能够抵抗热冲击，在提高热电堆芯片输出的热电动势信号准确性的情况下，可以提高其测温精度。

本实用新型还提供了一种热电堆红外传感器，该热电堆红外传感器包括封装壳体、以及上述技术方案提供的热电堆芯片；封装壳体上开设有红外透光窗口；热电堆芯片设置在封装壳体内。

与现有技术相比，本实用新型提供的热电堆红外传感器具有的有益效果与上述技术方案提供的热电堆芯片具有的有益效果相同，此处不再赘述。

本实用新型还提供了一种测温枪，该测温枪包括上述技术方案所提供的热电堆芯片或热电堆红外传感器。

与现有技术相比，本实用新型提供的测温枪具有的有益效果与上述技术方案提供的热电堆芯片具有的有益效果相同，此处不再赘述。

附图说明