[实用新型]一种自清洁太阳能减反膜结构及电池有效
申请号: | 202121127938.1 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN215644512U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 张笛;周建科;顾生刚;陈刚 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H02S40/10 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 300403 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洁 太阳能 膜结构 电池 | ||
本实用新型公开了一种自清洁太阳能减反膜结构,包含由下至上依次设置的SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO薄膜层,所述SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO薄膜层相连接,所述纳米ZnO薄膜层设在最外层,所述SiNx薄膜层与硅片连接。本实用新型可使电池片表面具有良好的自清洁功能,减少光损失、提高光电转化效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种自清洁太阳能减反膜结构及电池。
背景技术
目前在太阳能电池生产过程中,减反射薄膜层被广泛应用,目的是有效减少光反射,增加光的透射能力,常规工艺是在硅衬底表面沉积一层或多层薄膜层,使太阳光在界面处和自由空间达到阻抗匹配,这样几乎很少的太阳光在界面处发生反射。减反膜包括单层介质减反膜、双层介质减反膜、多层介质减反膜和微纳结构减反膜等。各种减反膜被广泛研究并利用到太阳能电池表面,其中氧化硅、二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、氟化镁等单层或多层减反膜最为常见。中国发明CN102723378A提供了一种类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜,在太阳能电池类单晶硅片的前表面,从内至外依次设有ZnO空心球薄膜和氮化硅薄膜,这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性,不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果,而且对波长在300~1200nm范围内的光都有很好的件反射和吸收效果,从而提高类单晶硅太阳能电池的转换效率。所述ZnO空心球薄膜夹在所述氮化硅薄膜和单晶硅片前表面之间,所述ZnO无法利用自身特性对电池表面进行亲清洁,当太阳能电池片在极端恶劣的条件下,常常会有部分灰尘和杂质落在电池表面,长此以往会给电池的可靠性带来风险,影响光的转换效率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提高一种自清洁太阳能减反膜结构,其可使电池片表面具有良好的自清洁功能,减少光损失、提高光电转化效率。
本实用新型所要解决的技术问题还在于,提高一种包含上述自清洁太阳能减反膜结构的电池。
为了解决上述技术问题,提供了一种自清洁太阳能减反膜结构,包含由下至上依次设置的SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO薄膜层,所述SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO薄膜层相连接,所述纳米ZnO薄膜层设在最外层,所述SiNx薄膜层与硅片连接。
优选地,所述纳米ZnO薄膜层的厚度≤12nm。
优选地,所述纳米ZnO薄膜层的厚度为6~12nm,折射率为1.9~2.1。
优选地,所述纳米ZnO薄膜层的孔隙率小于10%。
优选地,所述纳米ZnO薄膜层的厚度和所述SiOx薄膜层的厚度均小于所述SiNx薄膜层的厚度,所述SiNx薄膜层的折射率大于所述SiOx薄膜层的折射率。
优选地,所述SiNx薄膜层的厚度为55~65nm,折射率为2.0~2.3。
优选地,所述SiOx薄膜层的厚度为4~10nm,折射率为1.4~1.6。
优选地,所述SiNx薄膜层的折射率为2.0、所述SiOx薄膜层的折射率1.45、所述纳米ZnO薄膜层的折射率为1.9。
为了解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种太阳能电池,包含所述的自清洁太阳能减反膜结构。
本实用新型,具有如下有益效果:
本实用新型提供了一种自清洁太阳能减反膜结构,包含由下至上依次设置的SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO。所述纳米ZnO薄膜层具有良好的光催化活性和光催化特性,以及纳米材料独有的小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,当太阳光照射在电池片表面时,会有更多薄膜层的光被电池片吸收,同时电池片的表面会因为ZnO独特的光催化特性使电池片表面保持长时间的整洁状态,提高太阳能电池片的使用寿命。另外,SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO协同作用提高电池的光电转化效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的