[实用新型]一种自清洁太阳能减反膜结构及电池有效
| 申请号： | 202121127938.1 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN215644512U | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张笛;周建科;顾生刚;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H02S40/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 300403 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 太阳能 膜结构 电池 | ||
1.一种自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，包含由下至上依次设置的SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO薄膜层，所述SiNx薄膜层、SiOx薄膜层和纳米ZnO薄膜层相连接，所述纳米ZnO薄膜层设在最外层，所述SiNx薄膜层与硅片连接。
2.根据权利要求1所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述纳米ZnO薄膜层的厚度≤12nm。
3.根据权利要求2所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述纳米ZnO薄膜层的厚度为6～12nm，折射率为1.9～2.1。
4.根据权利要求1所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述纳米ZnO薄膜层的孔隙率小于10％。
5.根据权利要求1所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述纳米ZnO薄膜层的厚度和所述SiOx薄膜层的厚度均小于所述SiNx薄膜层的厚度，所述SiNx薄膜层的折射率大于所述SiOx薄膜层的折射率。
6.根据权利要求1或5所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述SiNx薄膜层的厚度为55～65nm，折射率为2.0～2.3。
7.根据权利要求1或5所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述SiOx薄膜层的厚度为4～10nm，折射率为1.4～1.6。
8.根据权利要求1或5所述的自清洁太阳能减反膜结构，其特征在于，所述SiNx薄膜层的折射率为2.0、所述SiOx薄膜层的折射率1.45、所述纳米ZnO薄膜层的折射率为1.9。
9.一种太阳能电池，包含权利要求1-8任一项所述的自清洁太阳能减反膜结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
