[实用新型]发光结构及发光装置

说明书

本公开涉及照明技术领域，提供了一种发光结构及发光装置，该发光结构包括第一电极、金属粒子层、发光层以及第二电极；金属粒子层包括多个金属粒子，设于第一电极的一侧，金属粒子层的功函低于第一电极的功函；发光层设于金属粒子层的远离第一电极的一侧；第二电极设于发光层的远离第一电极的一侧。该发光结构寿命长、激发效率高。

技术领域

本公开涉及照明技术领域，具体而言，涉及一种发光结构及包括该发光结构的发光装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电激光显示)是一种新型的显示技术，由于其具有自发光、响应时间短、大可视角等优点而得到了社会各界的认可和关注。OLED发光技术在电场作用下，阴极的电子越界到达阳极后产生激子，激子激发发光层后产生可见光。

但是，目前的OLED发光结构具有较高的电子注入势垒，不利于电子的激发，而要激发电子跃迁势必要增加阴阳两极的电势，随着阴阳两极电势的增加势必导致OLED内部材质的过度损耗，因而导致OLED寿命短，激发效率低的问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的电子注入势垒较高的不足，提供一种发光结构及包括该发光结构的发光装置，以降低电子注入势垒。

根据本公开的一个方面，提供了一种发光结构，包括：

第一电极；

金属粒子层，包括多个金属粒子，设于所述第一电极的一侧，所述金属粒子层的功函低于所述第一电极的功函；

发光层，设于所述金属粒子层的远离所述第一电极的一侧；

第二电极，设于所述发光层的远离所述第一电极的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属粒子层的功函低于3.0eV。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属粒子层的厚度小于或等于0.2nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极为阳极，所述第一电极的材质为ITO。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二电极为阴极，所述第二电极的材质为金属。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光结构还包括：

空穴传输层，设于所述金属粒子层的远离所述第一电极的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光结构还包括：

空穴注入层，设于所述空穴传输层与所述金属粒子层之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光结构还包括：

电子传输层，设于所述发光层的远离所述第一电极的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述发光结构还包括：

电子注入层，设于所述第二电极与所述电子传输层之间。

根据本公开的另一个方面，提供了一种发光装置，包括：上述任意一项所述的发光结构。

本公开的发光结构，在第一电极和发光层之间设置有金属粒子层，金属粒子层包括多个金属粒子；金属粒子层的功函比第一电极的功函低，金属粒子层上的电子容易被激发跃迁至第一电极，从而使得第一电极和第二电极所需要的电压大大降低，因此，不会导致发光结构内部材质的过度损耗，提高了发光结构的寿命、激发效率；另外，金属粒子层包括多个金属粒子，不会对发光结构整体的透过率造成影响。