[实用新型]发光结构及发光装置有效
| 申请号： | 202121076238.4 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN215342659U | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李涛;尹清平;赵影 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 结构 装置 | ||
1.一种发光结构，其特征在于，包括：
第一电极；
金属粒子层，包括多个金属粒子，设于所述第一电极的一侧，所述金属粒子层的功函低于所述第一电极的功函；
发光层，设于所述金属粒子层的远离所述第一电极的一侧；
第二电极，设于所述发光层的远离所述第一电极的一侧。
2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述金属粒子层的功函低于3.0eV。
3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述金属粒子层的厚度小于或等于0.2nm。
4.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第一电极的材质为ITO。
5.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述第二电极为阴极，所述第二电极的材质为金属。
6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括：
空穴传输层，设于所述金属粒子层的远离所述第一电极的一侧。
7.根据权利要求6所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括：
空穴注入层，设于所述空穴传输层与所述金属粒子层之间。
8.根据权利要求6或7所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括：
电子传输层，设于所述发光层的远离所述第一电极的一侧。
9.根据权利要求8所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括：
电子注入层，设于所述第二电极与所述电子传输层之间。
10.一种发光装置，其特征在于，包括：权利要求1～9任意一项所述的发光结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
