[实用新型]一种太阳能电池ALD自动化设备的去除硅片表面静电装置有效
| 申请号: | 202121064226.X | 申请日: | 2021-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN214898477U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 贺伟;陈庆发;彭平;夏中高;李旭杰;郭飞;杨杰 | 申请(专利权)人: | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H05F3/04;C23C16/56;C23C16/455 |
| 代理公司: | 许昌豫创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41140 | 代理人: | 韩晓静 |
| 地址: | 461700 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 ald 自动化 设备 去除 硅片 表面 静电 装置 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池ALD自动化设备的去除硅片表面静电装置,包括设备PLC控制器、设备CDA总端、设备吸盘、设备顶齿、两个对称设置于设备顶齿两侧的设备梳齿、设备支架和活动连接于设备支架左侧前端面的移动风刀,设备支架的右侧前端面设有静电消除棒,静电消除棒的风口朝设备顶齿方向设置,静电消除棒通过气管与设备CDA总端管路连通,气管上位于静电消除棒和设备CDA总端之间设有电磁阀,静电消除棒电性连接有高压电源,电磁阀和高压电源分别与设备PLC控制器电性连接,静电消除棒和电磁阀可在设备PLC控制器的控制下同步工作,使静电消除棒的风口间歇性输出带正负电荷的气流;本实用新型能具有静电去除效果好、节约能源的优点。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池生产设备技术领域,具体涉及一种太阳能电池ALD自动化设备的去除硅片表面静电装置。
背景技术
在太阳能电池片制造过程中,ALD原子层沉积工序是将不同气相前驱反应物交替地通入反应器,在沉积基底上化学吸附并反应形成薄膜的过程,其以限制表面反应物的方式,将沉积过程控制在原子水平,具体为以前驱体三甲基铝和水为反应物,经过一系列反应构成了一次ALD循环,在晶体硅表面沉积形成薄膜,通过控制循环次数即可得到所需的薄膜厚度,从而具有很好的台阶覆盖性和大面积厚度均匀性。
目前ALD自动化设备作业过程中,为避免在工艺(即行业内ALD工序硅片背面镀氧化铝膜约3纳米)后接触电池片时造成膜面划伤,设备的机械手、吸盘、顶齿等均采用陶瓷和/或氧化锆材质。该材质的使用优点是:高耐磨性、高韧性、耐高温、耐化学品腐蚀且不污染产品及环境。但是,在生产过程中随着天气变化不可避免车间整体温湿度波动,加大了电池片在生产工艺过程中产生静电的几率,该材质的吸盘、顶齿等在接触带有静电的电池片时较大几率地黏附吸盘及顶齿表面,较大几率地造成了产品不良及产品损坏;为解决上述问题,开发一种太阳能电池ALD自动化设备的去除硅片表面静电装置很有必要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,而提供一种静电去除效果好、节约能源的太阳能电池ALD自动化设备的去除硅片表面静电装置,能有效改善和去除电池片本身静电,避免因电池片生产过程中产生静电黏附吸盘表面,极大地改善了ALD工序因吸盘黏附电池片碎片而造成的产能、成本、产品合格率等的损失。
本实用新型的目的是这样实现的:一种太阳能电池ALD自动化设备的去除硅片表面静电装置,包括设备PLC控制器、设备CDA总端、设备吸盘、设备顶齿、两个对称设置于所述设备顶齿两侧的设备梳齿、设备支架和活动连接于所述设备支架左侧前端面的移动风刀,所述设备支架的右侧前端面设有静电消除棒,所述静电消除棒的风口朝所述设备顶齿方向设置,所述静电消除棒通过气管与所述设备CDA总端管路连通,所述气管上位于所述静电消除棒和所述设备CDA总端之间设有电磁阀,所述静电消除棒电性连接有为其提供工作电压的高压电源,所述电磁阀和所述高压电源分别与所述设备PLC控制器电性连接,所述静电消除棒和所述电磁阀可在所述设备PLC控制器的控制下同步工作,使所述静电消除棒的风口间歇性输出带正负电荷的气流。
优选的,所述静电消除棒的后端通过圆形安装板可拆卸式安装于所述设备支架的右侧前端面上。
进一步优选的,所述圆形安装板上设有弧形腰孔,所述静电消除棒通过弧形腰孔可转动式安装于所述设备支架的右侧前端面上。
优选的,所述静电消除棒平行于所述移动风刀安装于所述设备支架的右侧前端面上。
进一步优选的,所述静电消除棒的风口与所述移动风刀的风口等高设置。
优选的,所述高压电源与所述ALD设备的220V输出机台端子电性连接。
优选的,所述电磁阀的工作电压输入端通过降压模块与所述ALD设备的220V输出机台端子电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





