[实用新型]发光基板和发光装置有效
| 申请号: | 202120790744.3 | 申请日: | 2021-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN215834529U | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
| 发明(设计)人: | 杨超;吴柏贤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光基板,包括:
衬底;
设置于所述衬底上的多条供电线;以及
设置于所述衬底上的多个发光器件,每个发光器件包括:沿垂直于所述衬底的方向,层叠设置的第一电极和第二电极,以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极相比于所述第二电极更靠近所述衬底;其特征在于,所述发光基板还包括:
多条电阻线,每条电阻线的一端与一条供电线耦接,另一端与一个发光器件的第一电极耦接,且每条电阻线与所述第一电极同层设置。
2.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,
所述多个发光器件形成沿第一方向排列的多排发光器件,每排发光器件中的各个发光器件沿第二方向排列;所述第一方向和所述第二方向交叉;
所述多条供电线包括:沿所述第二方向延伸,且沿所述第一方向排列并相邻的第一供电线和第二供电线,所述第一供电线和所述第二供电线之间间隔设置有至少一排发光器件,所述至少一排发光器件中每个发光器件的第一电极与所述第一供电线或所述第二供电线耦接。
3.根据权利要求2所述的发光基板,其特征在于,
所述多个发光器件包括:沿所述第一方向或所述第二方向相邻的第一发光器件和第二发光器件;
所述多条电阻线包括:第一电阻线和第二电阻线;
所述第一电阻线与所述第一发光器件的第一电极耦接,所述第二电阻线绕过所述第一发光器件的第一电极的至少一条边与所述第二发光器件的第一电极耦接。
4.根据权利要求3所述的发光基板,其特征在于,
所述第二电阻线和所述第一发光器件的第一电极相邻。
5.根据权利要求3或4所述的发光基板,其特征在于,所述第一发光器件和所述第二发光器件位于所述第一供电线和所述第二供电线之间,且所述第一供电线、所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第二供电线沿所述第一方向依次排列;
所述第一发光器件的第一电极通过所述第一电阻线与所述第二供电线耦接,所述第二发光器件的第一电极通过所述第二电阻线与所述第一供电线耦接;所述第一电阻线绕过所述第二发光器件的第一电极的至少一条边与所述第一发光器件的第一电极耦接。
6.根据权利要求5所述的发光基板,其特征在于,
所述第一电阻线的至少一部分和所述第二电阻线的至少一部分分布在所述第一发光器件的第一电极和所述第二发光器件的第一电极沿所述第二方向的相对两侧。
7.根据权利要求6所述的发光基板,其特征在于,
所述第一电阻线与所述第一发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第一发光器件的第一电极靠近所述第一供电线的边缘处;
和/或,
所述第二电阻线与所述第二发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第二发光器件的第一电极靠近所述第二供电线的边缘处。
8.根据权利要求3或4所述的发光基板,其特征在于,
所述第一供电线包括第一耦接部;
所述第一发光器件和所述第二发光器件沿所述第二方向排列;
所述第一电阻线包括相互连接的第一电阻段和第二电阻段,所述第一电阻段远离连接点的一端与所述第一耦接部耦接,所述第二电阻段远离所述连接点的一端与所述第一发光器件的第一电极耦接,所述连接点为第一电阻段和第二电阻段连接的位置;
所述第二电阻线包括所述第一电阻段和与所述连接点连接的第三电阻段,所述第三电阻段远离所述连接点的一端与所述第二发光器件的第一电极耦接。
9.根据权利要求8所述的发光基板,其特征在于,
所述第一电阻段在所述衬底上的正投影与所述第一供电线在所述衬底上的正投影具有重叠区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





