[实用新型]一种PECVD镀膜装置有效
申请号: | 202120785182.3 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN214830650U | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 高斌;施文成;李友军;李友萍 | 申请(专利权)人: | 无锡德欣光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/44 |
代理公司: | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 吕志垚 |
地址: | 214000 江苏省无锡市锡山区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 装置 | ||
本实用新型属于镀膜装置领域,尤其是一种PECVD镀膜装置,针对现有的镀膜装置不便于镀膜时提高镀膜的质量的问题,现提出如下方案,其包括底座,所述底座的顶部固定连接有两个支撑板,两个支撑板的一侧固定连接有同一个镀膜箱,所述镀膜箱的一侧固定连接有进气管和出气管,进气管和出气管的一端固定连接有同一个收集箱,进气管的一端固定连接有活性炭过滤板,且镀膜箱的一侧转动连接有门,所述底座的顶部固定连接有电机,电机的输出轴上固定连接有第一旋转柱,第一旋转柱上固定连接有两个第一锥齿轮,两个第一锥齿轮分别啮合有第二锥齿轮和第三锥齿轮,本实用新型便于镀膜时提高镀膜的质量,且结构简单,操作方便。
技术领域
本实用新型涉及镀膜装置技术领域,尤其涉及一种PECVD镀膜装置。
背景技术
PECVD通过等离子放电产生活性基团来促进薄膜生成的反应,使某些原本需要在高温下进行的CVD镀膜反应可以在较低温度下进行。
现有的镀膜装置不便于镀膜时提高镀膜的质量,因此,我们提出了一种PECVD镀膜装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在不便于镀膜时提高镀膜的质量的缺点,而提出的一种PECVD镀膜装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种PECVD镀膜装置,包括底座,所述底座的顶部固定连接有两个支撑板,两个支撑板的一侧固定连接有同一个镀膜箱,所述镀膜箱的一侧固定连接有进气管和出气管,进气管和出气管的一端固定连接有同一个收集箱,进气管的一端固定连接有活性炭过滤板,且镀膜箱的一侧转动连接有门,所述底座的顶部固定连接有电机,电机的输出轴上固定连接有第一旋转柱,第一旋转柱上固定连接有两个第一锥齿轮,两个第一锥齿轮分别啮合有第二锥齿轮和第三锥齿轮,第二锥齿轮的顶部固定连接有第二旋转柱,第二旋转柱的一端延伸到镀膜箱内并固定连接有旋转板,所述第三锥齿轮的顶固定连接有第一旋转杆,第一旋转杆的一端延伸到出气管内并固定连接有第四锥齿轮,所述第四锥齿轮上啮合有第五锥齿轮,第五锥齿轮的一侧固定连接有第二旋转杆,第二旋转杆的一端固定连接有旋转叶,所述镀膜箱内设有旋转机构。
优选的,所述旋转机构包括凹槽、齿轮、齿环、网箱,多个凹槽均固定连接在旋转板内,齿轮转动连接在凹槽内,且多个齿轮与同一个齿环啮合,齿环固定连接在镀膜箱内,多个网箱均固定连接多个齿轮的顶部。
优选的,所述收集箱内固定连接有过滤板,收集箱的一侧固定连接有固定架,固定架的一端固定连接在镀膜箱的一侧,收集箱的底部固定连接有出料管,出料管上设有第一阀门。
优选的,所述镀膜箱的顶部固定连接有支撑架、射频电源和直流电源,支撑架的顶部固定连接有存储箱,存储箱的一侧固定连接有连接管并延伸到镀膜箱内,连接管上设有第二阀门。
优选的,所述底座的顶部固定连接有第一轴承,镀膜箱的底部固定连接有第二轴承,出气管内固定连接有第三轴承,第一轴承的内圈与第一旋转柱的外侧固定连接,第二轴承的内圈与第二旋转柱的外侧固定连接,第三轴承的内圈与第二旋转杆的外侧固定连接。
本实用新型中,所述一种PECVD镀膜装置的有益效果;
当需要进行镀膜时,先打开第二阀门,存储箱内的气体进入镀膜箱内,接着打开射频电源和直流电源对气体进行电击,接着电击后的气体与原件进行反应,且反应时产生毒气和粉尘影响镀膜质量,接着打开电机,电机带动第一旋转柱转动,第一旋转柱带动旋转板网箱转动,使原件与气体充分接触反应,旋转叶旋转并向右吹风将镀膜箱内的毒气和粉尘吸到收集箱内进行过滤,使气体进行循环处理,提高镀膜箱内的气体质量,进而提高原件镀膜质量;
本实用新型便于镀膜时提高镀膜的质量,且结构简单,操作方便。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种PECVD镀膜装置的结构示意图;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的