[实用新型]一种新型单层芯片电容

说明书

本实用新型公开了一种新型单层芯片电容，属于微波元器件技术领域，从下至上依次包括下电极（1）、介质层（2）和上电极（3），在所述上电极（3）的表面设置有绝缘层（4）；本实用新型通过在电极层表面周围附着绝缘层，当上下电极焊料融化时，由于绝缘层的阻挡，可以有效的防止上下电极间短路，结构简单，易于制作。

技术领域

本实用新型涉及微波元器件技术领域，尤其涉及一种新型单层芯片电容。

背景技术

单层芯片电容是微波工程中的一类重要基础性器件，其广泛应用于微波集成电路，起隔直流、源旁路、阻抗匹配等作用。目前的单层芯片电容重要由上电极、下电极和介质层三部分组成，随着集成化、小型化发展，单层芯片电容越来越薄，当厚度小于0.2时极易造成上下电极的短路。

发明内容

本实用新型的目的就在于提供一种新型单层芯片电容，以解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是这样的：一种新型单层芯片电容，从下至上依次包括下电极、介质层和上电极，在所述上电极的表面四周设置有绝缘层。

作为优选的技术方案：所述绝缘层为丙烯酸聚合物材料。

作为优选的技术方案：所述绝缘层的厚度为0.05-0.06mm。

本申请主要针对单层芯片电容尺寸变薄，提出了一种新型单层芯片电容的结构，从而解决上下电极短路的问题。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型通过在电极层表面四周附着绝缘层，当上下电极焊料融化时，由于绝缘层的阻挡，可以有效的防止上下电极间短路，结构简单，易于制作。

附图说明

图1为本实用新型实施例的单层芯片电容的俯视图；

图2为本实用新型实施例的单层芯片电容的侧视图。

图中：1、下电极；2、介质层；3、下电极；4、绝缘层。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。

实施例：

参见图1和图2，一种新型单层芯片电容，从下至上依次包括下电极1、介质层2和，在所述上电极3的表面四周设置有绝缘层4，其中，所述下电极1和上电极3均为镀银或镀金层；介质层2是主要的电容材料；所述绝缘层4为一种丙稀酸低聚物，比如商品型号为KSM-19的丙稀酸低聚物，其常规厚度为0.05mm；其中的绝缘层4可以采用印刷工艺制作。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。