[实用新型]一种高洁净度APCVD成膜设备有效
申请号: | 202120680267.5 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN214655237U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 戚定定 | 申请(专利权)人: | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/40;C23C16/46;C23C16/44 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
地址: | 311201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 洁净 apcvd 设备 | ||
1.一种高洁净度APCVD成膜设备,其特征在于:包括APCVD成膜组件(1),所述的APCVD成膜组件(1)前端设有与APCVD成膜组件(1)呈一体化的风机过滤仓(3),所述的风机过滤仓(3)前端设有粘尘垫(6);所述的APCVD成膜组件(1)包括成膜箱体(8),所述的成膜箱体(8)下端设有成膜机架(7),所述的成膜机架(7)与成膜箱体(8)间设有加热器(15),所述的成膜箱体(8)内设有衬底(14),所述的成膜箱体(8)上端设有与衬底(14)相连通的主反应剂进料管(10),所述的主反应剂进料管(10)两端均设有与衬底(14)相连通的辅助反应剂进料管(9)。
2.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备,其特征在于:所述的辅助反应剂进料管(9)与主反应剂进料管(10)间设有与主反应剂进料管(10)相嵌套连接且与成膜箱体(8)相连通的排气管道(11)。
3.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备,其特征在于:所述的成膜箱体(8)内壁上端设有若干与辅助反应剂进料管(9)相连通的喷嘴(13)。
4.根据权利要求3所述的一种高洁净度APCVD成膜设备,其特征在于:所述的喷嘴(13)与辅助反应剂进料管(9)间设有分流管(12)。
5.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备,其特征在于:所述的风机过滤仓(3)下端设有镂空地板(4),所述的风机过滤仓(3)上端设有若干呈阵列式分布的静电消除器(2)。
6.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备,其特征在于:所述的粘尘垫(6)与风机过滤仓(3)间设有除尘隔离仓(5)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的