[实用新型]一种兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备有效
| 申请号: | 202120643605.8 | 申请日: | 2021-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN214279941U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01J37/20;H01J37/32 |
| 代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 孟迪 |
| 地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 兼容 硅片 玻璃片 静电 吸盘 装置 等离子 刻蚀 设备 | ||
一种兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备,属于等离子刻蚀技术领域,其中的静电吸盘装置,包括基座及其上设置的静电吸盘,静电吸盘上放置待刻蚀的硅片或玻璃片,基座的外周方向上设置有多组压紧调节机构,多个压紧调节机构将玻璃片的外周压紧,本实用新型的有益效果是,该静电吸盘装置整体结构简单,操作方便灵活,可将硅片或玻璃片有效吸附,而不会造成玻璃片的击穿,提高了吸附的安全性和刻蚀的稳定性。
技术领域
本实用新型涉及等离子刻蚀技术领域,尤其涉及一种兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备。
背景技术
目前,硅基Micro OLED微显示行业选所用的刻蚀机均为半导体刻蚀设备,其大部分机型均不可兼容硅片及玻璃片刻蚀,其原因在于此类刻蚀设备的静电吸附装置的电压范围控制均在≤±2.5kv左右。硅片吸附及刻蚀需求静电吸附电压≤±2.5kv,而玻璃片吸附及刻蚀需求静电吸附电压≥±7kv,但是静电吸附电压过大,会很容易造成玻璃片击穿及制程过程中基板温度过高等异常,而且由于玻璃片的平整度较差,存在电压即使达到吸附要求也不能平稳吸引的情况,存在制程中出现玻璃片偏移、滑落的风险。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种可兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备,可将硅片或玻璃片有效吸附,而不会造成玻璃片的击穿,提高了吸附的安全性和刻蚀的稳定性。
为实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:所述兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置,包括基座及其上设置的静电吸盘,所述静电吸盘上放置待刻蚀的硅片或玻璃片,所述基座的外周方向上设置有多组压紧调节机构,多个所述压紧调节机构将所述玻璃片的外周压紧。
进一步地,所述基座的中部设置所述静电吸盘,所述基座的外周设置定位多组压紧调节机构执行端的定位台。
进一步地,所述压紧调节机构设置有3组,且均布定位在所述基座的外周方向上。
进一步地,所述压紧调节机构包括水平伸缩组件、竖直伸缩组件和压条,所述基座的外侧通过所述水平伸缩组件与所述竖直伸缩组件相连,所述竖直伸缩组件与所述压条固定相连,所述压条贴合压紧在所述玻璃片的外周。
进一步地,所述水平伸缩组件和竖直伸缩组件均设置为气缸、液压缸、电缸或电动升降杆,均包括底座和伸缩杆。
进一步地,所述水平伸缩组件的底座固定在所述基座外侧,所述水平伸缩组件的伸缩杆的端部通过连接座与所述竖直伸缩组件的底座固定相连,所述竖直伸缩组件的伸缩杆端部与所述压条可拆卸相连。
进一步地,所述压条由耐腐蚀材质加工而成,所述压条与玻璃片表面的贴合距离设置为3~7mm,所述压条的宽度设置为0.5~1.5cm。
一种等离子刻蚀设备,包括所述的兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置。
本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过在基座的外周方向设置多组压紧调节机构,当使用静电吸盘吸附硅片时,调节压紧调节机构使其脱离硅片,仅使用静电吸盘即可将硅片稳定吸附,当使用静电吸盘吸附玻璃片时,由于静电吸盘的电压较低,不能将玻璃片稳定吸附,调节多组压紧调节机构使其将玻璃片的四周贴合压紧,实现了玻璃片的稳定压紧定位,而不会将玻璃片击穿,使硅片和玻璃片均可稳定吸附,提高了吸附的安全性和刻蚀的稳定性。
2、本实用新型中的压紧调节机构包括水平伸缩组件、竖直伸缩组件和压条,水平伸缩组件可实现压条的水平移动,竖直伸缩组件可实现压条的上下移动,从而可实现吸附硅片时压条脱离硅片和吸附玻璃片时压条压紧玻璃片。
综上,该静电吸盘装置整体结构简单,操作方便灵活,可将硅片或玻璃片有效吸附,而不会造成玻璃片的击穿,提高了吸附的安全性和刻蚀的稳定性。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





