[实用新型]用于制备空气桥的掩膜

说明书

本申请公开了用于制备空气桥的掩膜，属于量子器件、传统集成电路加工技术领域。它包括沿着共面波导传输线的信号传输方向等间距分布的图案单元，所述图案单元包括：桥撑，所述桥撑位于待连接区域之间，且用于承载沉积的材料以形成空气桥面；及沉积窗，所述沉积窗暴露出所述桥撑，且所述沉积窗和所述桥撑之间形成用于暴露出所述待连接区域的间隙，所述间隙用于限定沉积的材料以形成与所述空气桥面连接的桥墩。本申请解决现有技术中的不足，它能够用于制备横跨共面波导传输线的空气桥。

技术领域

本申请属于量子器件、传统集成电路加工技术领域，特别是一种用于制备空气桥的掩膜。

背景技术

在超导体系的量子芯片中，超导量子比特电路读取腔和量子比特调控信号线均为共面波导传输线。该传输线对接地层的割裂导致量子芯片在信号输入时，传输线两侧的接地层会产生电势差，从而激发产生寄生槽线模式继而影响量子比特相干性，为了解决这一问题以提高量子比特的退相干时间，则需要消除传输线两侧的接地层的电势差。空气桥是一种利用三维的金属导线将二维平面上被分割的接地层连接起来的结构，但在目前的相关技术中，一直没有直接用于制备横跨共面波导传输线的空气桥的掩膜。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种用于制备空气桥的掩膜，以解决现有技术中的不足，它能够用于制备横跨共面波导传输线的空气桥。

本申请提供的用于制备空气桥的掩膜，包括沿着共面波导传输线的信号传输方向等间距分布的图案单元，所述图案单元包括：

桥撑，所述桥撑位于待连接区域之间，且用于承载沉积的材料以形成空气桥面；及

沉积窗，所述沉积窗暴露出所述桥撑，且所述沉积窗和所述桥撑之间形成用于暴露出所述待连接区域的间隙，所述间隙用于限定沉积的材料以形成与所述空气桥面连接的桥墩。

如上所述的掩膜，优选的是所述桥撑为拱形的二氧化硅沉积物。

如上所述的掩膜，优选的是所述沉积窗和所述桥撑为图形化的光刻胶。

如上所述的掩膜，优选的是所述桥撑为图形化的HSQ光刻胶。

如上所述的掩膜，优选的是所述沉积窗形成有底切角。

如上所述的掩膜，所述沉积窗的厚度大于所述桥撑的厚度。

如上所述的掩膜，所述桥撑至少覆盖所述共面波导传输线的中心导体，以及所述中心导体与接地层之间的对地间隙。

如上所述的掩膜，所述空气桥面的延伸方向与所述共面波导传输线的信号传输方向垂直。

与现有技术相比，本申请提供的用于制备空气桥的掩膜包括沿着共面波导传输线的信号传输方向等间距分布的图案单元，所述图案单元包括：桥撑，所述桥撑位于待连接区域之间，且用于承载沉积的材料以形成空气桥面；及沉积窗，所述沉积窗暴露出所述桥撑，且所述沉积窗和所述桥撑之间形成用于暴露出所述待连接区域的间隙，所述间隙用于限定沉积的材料以形成与所述空气桥面连接的桥墩。利用本申请提供的掩膜进行镀膜沉积工艺能够均匀地沿着共面波导传输线的信号传输方向、在横跨共面波导传输线的待连接区域之间形成空气桥，从而将被分割的接地层连接起来以消除传输线两侧的接地层的电势差。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种由共面波导传输线构成的超导量子比特电路读取腔的结构示意图，其中，图1(a)为超导量子比特电路读取腔的平面示意图，图1(b)为一段超导量子比特电路读取腔的立体结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种用于制备空气桥的掩膜的结构示意图；

图3为图2中Aa截面示意图；

图4为利用本申请实施例提供的掩膜进行镀膜沉积的示意图；

图5为利用本申请实施例提供的掩膜制备的空气桥的示意图。