[实用新型]八甲基环四硅氧烷提纯设备

说明书

本申请公开了一种八甲基环四硅氧烷提纯设备，包括脱轻塔，脱轻塔具有第一进料口、第一出料口和第一出气口；微反应器，微反应器内设有螺旋形的反应管道，反应管道具有第二进料口、络合剂进料口和第二出料口，第二进料口与第一出料口连通；脱重塔，脱重塔具有第三进料口、第三出料口和第三出液口，第三进料口与第二出料口连通；吸附装置，吸附装置具有第四进料口和第四出料口，第四进料口与第三出料口连通；蒸发塔，蒸发塔具有第五进料口、第五出料口和第五出液口，第五进料口与第四出料口连通。本实用新型具有络合反应时间短、除杂效率高、处理量大、产量高和生产成本低等优点。

技术领域

本实用新型涉及化工技术领域，具体涉及一种八甲基环四硅氧烷提纯设备

背景技术

电子气体作为集成电路等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑性材料之一，被广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺，没有这些基本原材料，其下游的集成电路产业就无法发展。随着超大规模集成电路工艺的不断升级，尤其在130nm及更先进的技术中，需要引入低介电常数材料，降低寄生电容，来提高逻辑电路的操作速度。目前，业内普遍认为SiCOH薄膜材料可以满足要求，八甲基环四硅氧烷(D4)正是沉积SiCOH薄膜的前驱体，其重要性不言而喻。但是对其纯度要求比较高，组分纯度一般不低于99.99％，各种金属及非金属杂质总量不高于10ppb。一般工业级八甲基环四硅氧烷纯度为98％-99％，杂质有金属杂质如Na、K、Mg、Al、Fe、Cu、Ca和非金属杂质如B、P等。因此实用新型一种电子级八甲基环四硅氧烷的提纯除杂工艺就显得非常有必要。

电子级D4纯度要求很高，环境因素、管道材质等对产品的性能都会产生极大的影响，同时提纯除杂过程中不能引入新的杂质。因此，电子级D4提纯过程中对设备、环境、吸附剂都有很高的要求。D4中重金属杂质如Cu、Ni、Zn等，含量通常都在ppb级别，采用普通精馏提纯方法，除杂效果十分有限，不能满足集成电路产业的需求。相关技术中，当前国内企业主要通过选用高效络合剂及吸附剂，进行相关络合反应后再进行提纯，虽然可以达到除杂效果，但是络合反应速度慢时间长，不能连续进行，除杂效率低。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的实施例提出一种八甲基环四硅氧烷提纯设备。

根据本实用新型实施例的八甲基环四硅氧烷提纯设备，包括：

脱轻塔，所述脱轻塔具有第一进料口、第一出料口和第一出气口；

微反应器，所述微反应器包括壳体，所述壳体为圆柱状，所述微反应器内设有螺旋形的反应管道，所述反应管道具有第二进料口、络合剂进料口和第二出料口，所述第二进料口与所述第一出料口连通；

脱重塔，所述脱重塔具有第三进料口、第三出料口和第三出液口，所述第三进料口与所述第二出料口连通；

吸附装置，所述吸附装置具有第四进料口和第四出料口，所述第四进料口与所述第三出料口连通；和

蒸发塔，所述蒸发塔具有第五进料口、第五出料口和第五出液口，所述第五进料口与所述第四出料口连通。

因此，根据本实用新型实施例的八甲基环四硅氧烷提纯设备具有络合反应时间短、除杂效率高、处理量大、产量高和生产成本低等优点。

在一些实施例中，所述脱轻塔的底部设有第一再沸器；

所述脱重塔的底部设有第二再沸器；

所述蒸发塔的底部设有第三再沸器。

在一些实施例中，根据本实用新型实施例的八甲基环四硅氧烷提纯设备还包括：

第一真空发生器，所述脱轻塔具有第一抽气口，所述第一真空发生器与所述第一抽气口连通，可选地，所述第一抽气口与所述第一出气口为同一个开口；