[实用新型]一种集成IPD的晶圆级封装声表器件

权利要求书

1.一种集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，由下至上依次包括声表芯片、衬底结构和IPD芯片，所述衬底结构包括衬底和位于衬底第二表面的氧化层，所述衬底中设有贯穿的通孔，所述通孔内设有连通结构，所述连通结构的两端分别直达所述衬底的第一表面和所述氧化层的表层，用于连接所述声表芯片和所述IPD芯片；

所述声表芯片的外表面上设有锡球作为所述晶圆级封装声表器件的信号端连接外部器件，和/或，所述IPD芯片的金属焊盘作为所述晶圆级封装声表器件的信号端连接外部器件。

2.根据权利要求1所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，所述声表芯片倒装设置在所述衬底的第一表面，包括叉指换能器、第一导电电极、墙膜和硬膜，所述叉指换能器和第一导电电极置于所述衬底的第一表面，且所述第一导电电极围绕所述叉指换能器设置，所述第一导电电极电连接所述连通结构的第一端，所述墙膜围绕所述叉指换能器设置，且覆盖所述第一导电电极，所述墙膜的厚度大于所述叉指换能器的厚度，所述硬膜置于所述墙膜上作为所述声表芯片的外表面，所述叉指换能器位于所述墙膜和硬膜围成的空腔中，所述墙膜起到支撑作用，所述硬膜起到隔离作用。

3.根据权利要求2所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，当所述声表芯片与所述外部器件连接时，所述声表芯片还包括所述锡球和第一金属柱，所述锡球置于所述硬膜上，所述第一金属柱贯穿所述硬膜，一端伸入至所述墙膜与所述第一导电电极电连接、另一端与所述锡球电连接。

4.根据权利要求1所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，所述IPD芯片包括IPD布线层和保护层，所述IPD布线层置于所述氧化层上，所述IPD布线层电连接所述连通结构的第二端，所述保护层置于所述氧化层上且覆盖所述IPD布线层。

5.根据权利要求4所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，当所述IPD芯片与所述外部器件连接时，所述IPD芯片还包括所述金属焊盘和第二导电电极，所述第二导电电极置于所述氧化层上，且电连接所述连通结构的第二端，所述金属焊盘置于所述第二导电电极和IPD布线层上，所述保护层置于所述氧化层上且覆盖所述IPD布线层、第二导电电极，并包裹所述金属焊盘的周围，所述金属焊盘的表面裸露。

6.根据权利要求1至5任一所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，所述连通结构包括绝缘层和第二金属柱，所述绝缘层贴敷在所述通孔内，所述绝缘层内设有所述第二金属柱，所述第二金属柱的第一端直达所述衬底的第一表面，所述第二金属柱的第二端直达所述氧化层的表层。

7.根据权利要求1或2所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，所述衬底的材料为压电材料，包括钽和铌，或者为半导体衬底材料，包括硅片和玻璃。

8.根据权利要求3所述的集成IPD的晶圆级封装声表器件，其特征在于，所述叉指换能器的材料为铜或铝，所述第一金属柱的材料为铜、铝、钨，所述锡球的材料为锡。