[实用新型]一种用于光电芯片外延的MOCVD MO源钢瓶手阀装置有效
| 申请号: | 202120380355.3 | 申请日: | 2021-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN215569725U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
| 发明(设计)人: | 袁小林 | 申请(专利权)人: | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号: | F17C13/04 | 分类号: | F17C13/04;F17C13/00 |
| 代理公司: | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人: | 陈云川 |
| 地址: | 362100 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 光电 芯片 外延 mocvd mo 钢瓶 装置 | ||
本实用新型涉及一种用于光电芯片外延的MOCVD MO源钢瓶手阀装置,包括钢瓶、设置在钢瓶上的入口管道、设置在钢瓶上的出口管道、设置在入口管道上的入口手阀以及设置在出口管道上的出口手阀,所述入口手阀上设有用于检测所述入口手阀启闭的第一传感装置,所述出口手阀上设有用于检测所述出口手阀启闭的第二传感装置,第一传感装置和第二传感装置均连接有传感信号显示机构。本实用新型通过第一传感装置可以检测出口手阀的启闭状态,通过第二传感装置可以检测入口手阀的启闭状态,并将相应的检测状态通过传感信号显示机构显示出来,提示手阀的状态,避免忘记关手阀而造成经济损失和产生安全事故,本实用新型具有结构简易的优点。
技术领域
本实用新型涉及一种用于光电芯片外延的MOCVD MO源钢瓶手阀装置。
背景技术
氮化镓、砷化镓、磷化铟等半导体,在光电子等领域有广阔的应用前景。业内对于氮化镓、砷化镓、磷化铟等半导体材料的外延生长主要采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD),在利用这一方法进行氮化镓、砷化镓、磷化铟等半导体材料的外延生长时,所使用的主要生产原料为金属有机物源(MO源),这些MO源通过高纯氮或高纯氢等载气携带进入反应室进而参与化学反应。
传统的用于MOCVD MO源钢瓶手阀装置包括入口管道、入口手阀、出口管道、出口手阀、钢瓶本体等,MO源物质主要储存在钢瓶本体里面,在外延生长工艺过程中,通过载气(H2)从入口管路进入钢瓶本体,在钢瓶本体里面通过鼓泡的方式带动钢瓶本体内部饱和蒸气压,从而使MO源从出口管路流入反应腔。MO源分为液态和固态两种,其特性遇水和空气易燃易爆。在正常状态下MO源钢瓶入口和出口手阀都处于打开状态。MO源在使用过程中需要进行周期性更换,在更换MO源时容易忘记关闭MO源钢瓶手阀导致剩余MO源被氮气置换掉,造成一定的经济损失,且有易燃易爆风险(实际案例也有出现过),在换完MO源时也会出现MO源手阀忘记打开的现象,导致在工艺生产过程中MO源无法流入反应腔,严重影响氮化镓、砷化镓、磷化铟等半导体外延生长的效率和安全。
鉴于此,本案发明人对上述问题进行深入研究,遂有本案产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简易、使用安全的用于光电芯片外延的MOCVD MO源钢瓶手阀装置。
为了达到上述目的,本实用新型采用这样的技术方案:
一种用于光电芯片外延的MOCVD MO源钢瓶手阀装置,包括钢瓶、设置在钢瓶上的入口管道、设置在钢瓶上的出口管道、设置在入口管道上的入口手阀以及设置在出口管道上的出口手阀,所述入口手阀上设有用于检测所述入口手阀启闭的第一传感装置,所述出口手阀上设有用于检测所述出口手阀启闭的第二传感装置,第一传感装置和第二传感装置均连接有传感信号显示机构。
作为本实用新型的一种优选方式,所述入口手阀包括设置在所述入口管道中的第一阀体和设置在第一阀体上用于控制第一阀体启闭的第一旋转阀杆,所述出口手阀包括设置在所述出口管道中的第二阀体和设置在第二阀体上用于控制第二阀体启闭的第二旋转阀杆,所述第一传感装置设置在第一旋转阀杆上,所述第二传感装置设置在第二旋转阀杆上。
作为本实用新型的一种优选方式,所述第一旋转阀杆上设有第一手阀,所述第一传感装置设置在第一手阀上,所述第二旋转阀杆上设有第二手阀,所述第二传感装置设置在第二手阀上。
作为本实用新型的一种优选方式,所述第一传感装置和所述第二传感装置均为距离传感器。
作为本实用新型的一种优选方式,所述距离传感器为激光传感器。
作为本实用新型的一种优选方式,所述入口管道和所述出口管道均为硬质管材。
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