[实用新型]下电极组件和等离子体处理装置

说明书

一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，其内设有凹槽；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其内设有第一气体通道，所述第一气体通道与凹槽对应；第一陶瓷件和第二陶瓷件，设于所述凹槽内，且二者相互配合形成第二气体通道，所述第二气体通道与第一气体通道相互连通，用于向待处理基片的背面输送冷却气体，以控制所述待处理基片的温度，其中，所述第二气体通道为非直线。所述下电极组件有利于降低静电夹盘发生点火放电。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种下电极组件和等离子体处理装置。

背景技术

在半导体器件制造的各种工序中，等离子体处理是将待处理基片加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体处理工艺中，工艺气体在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与待处理基片表面发生物理轰击作用及化学反应，从而对待处理基片表面进行处理。

所述等离子体处理工艺在等离子体处理装置内进行，所述等离子体处理装置包括基座和位于基座上方的静电夹盘，所述静电夹盘用于吸附待处理基片。通常所述基座和静电夹盘内设有氦气孔，所述氦气孔用于向所述待处理基片的背面输送氦气，以控制所述待处理基片的温度。然而，现有氦气孔很容易发生点火放电问题。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供了一种下电极组件和等离子体处理装置，以减少静电夹盘内发生点火放电。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种下电极组件，包括：基座，其内设有凹槽；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其内设有第一气体通道，所述第一气体通道与凹槽对应；用于向待处理基片的表面输送冷却气体，以控制所述待处理基片的温度；第一陶瓷件和第二陶瓷件，设于所述凹槽内，且二者相互配合形成第二气体通道，所述第二气体通道与第一气体通道相互连通，用于向待处理基片的背面输送冷却气体，以控制所述待处理基片的温度，其中，所述第二气体通道为非直线的。

可选的，所述基座的材料为金属；所述静电夹盘的材料为陶瓷材料。

可选的，所述第二气体通道为：弯折结构或者曲线结构。

可选的，当所述第二气体通道的非直线为弯折结构时，所述第一陶瓷件底部设有贯穿部分第一陶瓷件的第一开孔，所述第一陶瓷件的顶部的侧壁设有第二开孔；所述第二陶瓷件底部设有开口，所述开口用于容纳所述第一陶瓷件的顶部，且所述第二开孔被所述开口包围，所述第一陶瓷件的顶部与开口内侧壁之间形成间隙，所述第二陶瓷件的顶部设有第三开孔，且所述第一开孔、第二开孔、间隙和第三开孔连通，所述第一开孔、第二开孔、间隙和第三开孔构成所述第二气体通道，所述间隙的中心线与第一开孔、第三开孔的中心线不共线。

可选的，所述第一陶瓷件包括底部件和位于底部件上方的凸台件，所述凸台件在基座上的投影面积小于底部件在基座上的投影面积，所述第一开孔贯穿所述底部件和部分凸台件，所述第二开孔设有所述凸台件的侧壁，所述第二陶瓷件的开口用于容纳凸台件，所述凸台件与开口的侧壁形成所述间隙。

可选的，所述第一陶瓷件和第二陶瓷件左右或者上下放置，两者相互配合形成非直线的第二气体通道。

可选的，所述第一陶瓷件包括第一侧，所述第二陶瓷件包括第二侧，所述第一侧的第一陶瓷件为锯齿状，所述第二侧的第二陶瓷件为锯齿状，所述第一侧与第二侧相互配合形成所述第二气体通道。

可选的，所述第一陶瓷件的外壁设有螺旋状的沟槽，所述第二陶瓷件与为筒状结构，所述第二陶瓷件套设在所述第一陶瓷件的外部，所述螺旋形的沟槽与第二陶瓷件的内壁之间形成所述第二气体通道。

可选的，所述第一陶瓷件与第二陶瓷件一体成型，所述第一陶瓷件和第二陶瓷件内设有所述第二气体通道，所述第二气体通道是由若干个菱形通道堆叠而成，且每个菱形通道还包括连接对角线的连接通道。