[实用新型]一种高效硅异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种高效硅异质结太阳能电池，包括N型晶体硅片(1)，其特征在于：所述N型晶体硅片(1)的正面依次设置第二薄层SiO₂层(301)、第二氢化非晶碳氧化硅薄膜层(302)、第二C掺杂SiO₂层(303)、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层(7)和第二电极(9)；

所述N型晶体硅片(1)的背面依次设置第一薄层SiO₂层(201)、第一氢化非晶碳氧化硅薄膜层(202)、第一C掺杂SiO₂层(203)、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层(6)和第一电极(8)。

2.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的薄层SiO₂层的厚度为1-3nm。

3.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的氢化非晶碳氧化硅薄膜层的厚度为2-10nm，禁带宽度为1.7-2.3eV。

4.根据权利要求3所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的氢化非晶碳氧化硅薄膜为非化学计量，其化学式表示为a-SiOxCy:H。

5.根据权利要求4所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的C掺杂SiO₂层的厚度为1-5nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层(401)和重掺B非晶硅层(402)，轻掺B非晶硅层(401)靠近第一C掺杂SiO₂层(203)，重掺B非晶硅层(402)靠近第一TCO导电层(6)。

7.根据权利要求6所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的轻掺B非晶硅层(401)由TMB气体掺杂形成，厚度为2-20nm，禁带宽度为1.7-1.8eV。

8.根据权利要求7所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的重掺B非晶硅层(402)由B₂H₆气体掺杂形成，厚度为2-20nm，禁带宽度为1.4-1.6eV。

9.根据权利要求1-5任一项所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(501)和重掺P非晶硅层(502)，轻掺P非晶硅层(501)靠近第二C掺杂SiO₂层(303)，重掺P非晶硅层(502)靠近第二TCO导电层(7)；所述轻掺P非晶硅层(501)的厚度为2-20nm，重掺P非晶硅层(502)的厚度为2-20nm。

10.根据权利要求8所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为10-30nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(501)和重掺P非晶硅层(502)，轻掺P非晶硅层(501)靠近第二C掺杂SiO₂层(303)，重掺P非晶硅层(502)靠近第二TCO导电层(7)；所述轻掺P非晶硅层(501)的厚度为2-20nm，重掺P非晶硅层(502)的厚度为2-20nm。