[实用新型]一种光刻机反应腔的内衬

说明书

本实用新型提供了一种光刻机反应腔的内衬，所述光刻机反应腔的内衬包括层叠设置的圆筒状本体与圆环状底座；所述圆筒状本体的侧壁设置有晶圆片传送口；所述圆环状底座的侧壁围绕圆周设置有至少1排贯通孔。所述内衬的结构合理且尺寸适配，加快了光刻机反应腔获得真空度的速度，提升了光刻效率，延长了设备的使用寿命。

技术领域

本实用新型属于光刻技术领域，涉及一种内衬，尤其涉及一种光刻机反应腔的内衬。

背景技术

在半导体芯片的制造过程中，晶圆片需要经过光刻环节，NPC Integral InnerLiner V1内衬用于光刻机设备内，是极其重要的承载组件。随着半导体芯片集成度的提高，线宽度越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，这就对光刻机设备的要求越来越高，尤其对于反应腔内的零部件，结构的优化及尺寸的掌控至关重要。

光刻机在进行晶圆光刻过程中会使用多种反应气体，某些气体会对反应腔的内部造成污染甚至腐蚀，最终造成光刻机设备的破坏。使用内衬可有效保护反应腔内部，并且内衬可随时拆卸清洗。然而，若内衬的结构及尺寸设计不合理则会造成光刻机在光刻开始前真空度达不到工作要求或抽真空速度过慢，从而影响光刻效率。

CN 206432234U公开了一种等离子体刻蚀机反应腔的内衬，以可拆卸的方式固定于所述等离子体刻蚀机反应腔的内壁，包括与等离子体刻蚀机反应腔的内壁相贴合的柱形侧壁，所述柱形侧壁设有与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口、以及与等离子体刻蚀机反应腔的抽气孔位置对应的匀流通路。然而所述内衬并不适用于光刻机，且结构与尺寸无法适配其他设备。

由此可见，如何设计一种结构合理且尺寸适配的内衬，加快光刻机反应腔获得真空度的速度，提升光刻效率，延长设备的使用寿命，成为了目前本领域技术人员迫切需要解决的问题。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种光刻机反应腔的内衬，所述内衬的结构合理且尺寸适配，加快了光刻机反应腔获得真空度的速度，提升了光刻效率，延长了设备的使用寿命。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供一种光刻机反应腔的内衬，所述光刻机反应腔的内衬包括层叠设置的圆筒状本体与圆环状底座。

所述圆筒状本体的侧壁设置有晶圆片传送口。

所述圆环状底座的侧壁围绕圆周设置有至少1排贯通孔，例如可以是1排、2排、3排、4排或5排，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本实用新型中，所述内衬可有效保护光刻机反应腔内部免受反应气体的污染与腐蚀，延长了设备的使用寿命，并且内衬可随时拆卸清洗；所述晶圆片传送口用于装卸光刻环节的晶圆片；所述贯通孔用于光刻过程中反应气体的通入，实现了气体在腔室内部的流动。

优选地，所述圆筒状本体远离圆环状底座的顶面设置有至少3个定位销孔，例如可以是3个、4个、5个、6个、7个或8个，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本实用新型中，所述定位销孔用于螺栓固定内衬于光刻机反应腔的内部，至少3个定位销孔保证了内衬在光刻过程中的稳定性与密封性，加快了光刻机反应腔获得真空度的速度，提升了光刻效率。

优选地，所述晶圆片传送口为长条状镂空。

优选地，所述长条状镂空的窄边长度为圆筒状本体高度的1/3-1/2，例如可以是1/3、1/2.9、1/2.8、1/2.7、1/2.6、1/2.5、1/2.4、1/2.3、1/2.2、1/2.1或1/2，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。