[实用新型]一种基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构有效

专利信息
申请号: 202120257803.0 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN216116380U 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 黄立;王颖;蔡光艳;叶帆;王春水;马占锋;高健飞;黄晟 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 胡建文
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mems 工艺 制冷 红外探测器 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,包括衬底,在所述衬底上形成有有效元、衬底热短参考元和盲元,其特征在于:所述有效元由第一封装单元封装,所述第一封装单元包括第一支撑组件和密封层,所述第一支撑组件包括第一支撑层和第二支撑层;

所述第一支撑层呈罩式结构,所述第一支撑层支承于所述衬底上并且将所述有效元罩设于内,所述第一支撑层的罩顶与所述有效元之间具有间距并且于该罩顶上开设有多个第一释放孔;

所述第二支撑层支承于所述第一支撑层上并且图形化为多个封闭盖,所述封闭盖与所述第一释放孔的数量相同并且一一对应配置,所述封闭盖将对应的第一释放孔盖合于内,所述封闭盖的盖顶与对应的第一释放孔之间具有间距并且于该盖顶上开设有第二释放孔;

所述密封层叠合于所述第二支撑层上并且闭合各所述第二释放孔。

2.如权利要求1所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述密封层采用红外增透膜。

3.如权利要求1所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述第二释放孔在水平面上的投影偏离于对应第一释放孔在该水平面上的投影。

4.如权利要求1所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述第一支撑层为非晶硅支撑层。

5.如权利要求1所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述衬底热短参考元以及所述盲元分别通过第二封装单元封装,所述第二封装单元包括封装帽,所述封装帽支承于所述衬底上并且将对应的模块罩设于内。

6.如权利要求5所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述封装帽为非晶硅封装层。

7.如权利要求1所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述衬底上还形成有光学参考元,所述光学参考元由第三封装单元封装。

8.如权利要求7所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述第三封装单元包括第二支撑组件,所述第二支撑组件的组成结构与所述第一支撑组件相同,其中,所述第二支撑组件的各第二释放孔通过封孔件封堵。

9.如权利要求8所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述封孔件为膜式封孔件并且采用非红外增透膜。

10.如权利要求7所述的基于MEMS工艺的非制冷红外探测器封装结构,其特征在于:所述有效元、所述光学参考元与所述衬底热短参考元位于所述盲元的同一侧,并且所述有效元、所述衬底热短参考元与所述光学参考元沿所述盲元的长度方向依次排列。

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