[实用新型]一种无待机功耗的自锁控制电路

说明书

本发明创造涉及一种无待机功耗的自锁控制电路，第一MOS管的D极与开关的输入端连接后其结点外接电源；开关的输出端分两路，一路通过二极管D1与第一MOS管的S极连接后其结点与单片机的电源输入端连接，另一路通过电阻R1接地；单片机的第一电平输出端通过电阻R4与第二MOS管的G极连接，第二MOS管的D极通过电阻R3与第一MOS管的G极连接；单片机还连接有负载电路；当开关处于闭合状态时二极管D1导通为单片机供电，单片机输出高电平电压使第二MOS管导通，进而使第一MOS管的G极拉低启动工作保持自锁电路的导通；当单片机接收到需要该自锁电路进入待机状态时单片机输出低电平电压使第一MOS管不导通，该自锁电路进入待机状态，有效减少待机功耗损失。

【技术领域】

本发明创造涉及电学技术领域，特别是一种无待机功耗的自锁控制电路。

【背景技术】

市面上很多电池供电的产品是有待机电流的，虽然功耗很低，但还是做不到零电流待机。因此本发明创造需要解决的问题是如何实现无待机功耗的电路。

【发明内容】

为解决上述问题，本发明创造提供一种无待机功耗的自锁控制电路。

为实现上述目的，本发明创造提供如下技术方案：

一种无待机功耗的自锁控制电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、开关K1、二极管D1、单片机1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，所述第一MOS管Q1的D极与开关K1的输入端连接后其结点作为Vbat端外接电源；所述开关K1的输出端分两路，一路与二极管D1的正极连接，另一路通过电阻R1接地；所述二极管D1的负极与第一MOS管Q1的S极连接后其结点作为VCC输出端与单片机1的电源输入端连接；所述单片机1的第一电平输出端PEN通过电阻R4与第二MOS管Q2的G极连接，所述第二MOS管Q2的D极通过电阻R3与第一MOS管Q1的G极连接，所述第一MOS管Q1的D极与G极之间连接有电阻R2，所述第二MOS管Q2的S极接地，所述第二MOS管Q2的G极与S极之间连接有电阻R5；所述单片机1还设置有用于连接负载电路的第二电平输出端MEN；

当所述Vbat端接通电源且所述开关K1处于断开状态时所述第一MOS管Q1不导通，该自锁电路处于关闭状态；

当所述Vbat端接通电源且所述开关K1处于闭合状态时所述二极管D1导通为所述单片机1供电，所述单片机1的第一电平输出端PEN输出高电平电压使第二MOS管Q2导通，进而使第一MOS管Q1的G极拉低启动工作保持自锁电路的导通，所述单片机1的第二电平输出端MEN输出高电平信号给负载电路；

当所述单片机1接收到需要该自锁电路进入待机状态时所述单片机1的第一电平输出端PEN输出低电平电压使所述第一MOS管Q1不导通，该自锁电路进入待机状态。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一MOS管Q1设置有寄生二极管。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一MOS管Q1选用P沟道MOS管。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一MOS管的型号为CJ2301。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述第二MOS管Q2选用N沟道MOS管。

作为优选实施方式，进一步限定为：所述第二MOS管Q2的型号为2N7002。