[实用新型]倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

生长衬底；

设置于所述生长衬底表面的半导体多层结构，包括依次堆叠的n型半导体层、发光层及p型半导体层，且表面形成有发光区域和电极区域；其中，

所述电极区域表面设置有贯穿连接至n型半导体层的n电极；

所述发光区域表面设置有：

反射结构，设置于所述半导体多层结构表面，包括设置于所述半导体多层结构表面由介电材料形成的介电反射层及设置于所述介电反射层表面的金属反射层，所述介电反射层中包括填充有导电材料的第一通孔，且所述介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层与半导体多层结构的接触面之间均设置有透明导电层；

绝缘层，设置于所述反射结构表面及发光区域结构侧壁，且所述绝缘层中配置有连通至所述反射结构的第二通孔；

p电极，通过所述绝缘层的第二通孔导电连接至反射结构；

所述倒装LED芯片中还包括：连接设置于n电极和p电极表面的钝化层，及形成与所述钝化层表面、通过钝化层中开设的第三通孔连接至n电极的n电极焊盘和连接至p电极的p电极焊盘。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述介电反射层与半导体多层结构的接触面之间设置的透明导电层的厚度为

3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间设置的透明导电层的厚度为

4.如权利要求1或2或3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述介电反射层的厚度为

5.如权利要求1或2或3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层为Ag反射层或Al反射层，厚度为

6.如权利要求1或2或3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述介电反射层中第一通孔内填充的导电材料与金属反射层的材料相同。