[发明专利]一种整板晶体微调方法及系统

权利要求书

1.一种整板晶体微调方法，其特征在于，基于整板晶体微调系统，所述整板晶体微调系统包括微调机、服务器、第三测量装置，所述微调机内设有第二测量装置，所述服务器内预先存储有各种规格晶体的标准工艺参数；每一块基板都具有唯一的身份ID，基于此身份ID，可以确定基板上晶体的规格；微调步骤如下：

S1、进行刻前测量，获取本序基板的身份ID，利用第三测量装置对本序基板进行测量，获得本序基板上各晶体的位置信息和对应的3#频率信息，将晶体的位置信息、对应的各晶体的3#频率信息以及本序基板的身份ID绑定上传至服务器；

S2、获取本序基板的身份ID，将本序基板装载入微调机；并将此步骤信息上传至服务器；

S3、微调机根据本序基板的身份ID，从服务器中读取与本序基板对应的标准工艺参数，所述标准工艺参数包括标准频率信息；

S4、利用微调机内的第二测量装置，对本序基板进行测量，获得本序基板上晶体的位置信息及各晶体对应的2#频率信息；

S5、微调机根据本序基板的身份ID，从服务器读取步骤S1中获取的与本序基板对应的3#频率信息，与步骤S4中获取的2#频率信息进行比较计算，获得本序基板上同一位置晶体的2#3#频率差值；

S6、微调机根据2#频率信息、2#3#频率差值及标准工艺参数，对本序基板上的晶体进行刻蚀微调，直至微调机内第二测量装置实时测得频率与2#3#频率差值的和与标准频率之间的差值小于设定阈值为止；将微调完后第二测量装置的实时测得频率上传至服务器。

2.根据权利要求1所述的整板晶体微调方法，其特征在于，对于连续的生产过程，当对前序基板进行步骤S2-S6操作时，对本序基板进行步骤S1的操作。

3.根据权利要求1或2所述的整板晶体微调方法，其特征在于，在步骤S6之后还包括步骤S7，所述步骤S7为：进行刻后激励，对经微调机刻蚀微调后的本序基板进行刻后激励。

4.根据权利要求1或2所述的整板晶体微调方法，其特征在于，第三测量装置在生产过程中周期性的进行频率校准，具体地，对机基板是指承载着产线标晶的一块基板，所述产线标晶是以元级标晶为基准制作的次级标准晶体，用做校对生产设备的基准，所述元级标晶是用来校准标准测量装置的晶体，用外部信号对作为标准测量装置的第一测量装置进行时钟校准，利用校准时钟后的第一测量装置测量元级标晶，根据测得值与元级标晶的理论值，设置第一测量装置的补偿值，确保第一测量装置的准确性，第三测量装置的周期性校准过程如下：

首先、读取对机基板的身份ID，用第一测量装置对对机基板进行测量，得到对机基板的标准负载频率；将对机基板的身份ID与测得的标准负载频率绑定上传至服务器；

其次、读取对机基板的身份ID，用一块第三测量装置对对机基板进行测量，得到与本块第三测量装置、对机基板匹配的测量负载频率，将本块第三测量装置的身份信息、对机基板的身份ID及对应的测量负载频率绑定后上传至服务器；

最后、服务器计算对机基板上相同位置晶体的标准负载频率和测量负载频率的差值，设置本块第三测量装置的补偿值，完成对第三测量装置的校准；

对机基板在生产过程中不断地在第一测量装置和第三测量装置之间循环测量，实现对第三测量装置的周期性校准。

5.根据权利要求4所述的整板晶体微调方法，其特征在于，每隔设定时间或第三测量装置累计测量设定数额的待刻蚀基板后，用第一测量装置、对机基板对第三测量装置进行校对，若第三测量装置或第一测量装置中同一测试通道少于5％的位置的晶体新测得的数值与上一次测量值差异超过1.5ppm，判定晶体测试接触不良；若同一测试通道超过20％位置晶体频率测量值与上一次频率测量值超过1.5ppm，则判定第三测量装置或第一测量装置故障。

6.根据权利要求4所述的整板晶体微调方法，其特征在于，第一测量装置、测试板卡与服务器的数据交换是通过网络传输实现的。

7.根据权利要求1、2、5、6之一所述的整板晶体微调方法，其特征在于，在微调机对本序基板进行首次测量之前，还包括对本序基板进行刻前激励的过程。