[发明专利]功率管的采样控制电路、电源保护芯片以及设备

权利要求书

1.一种功率管的采样控制电路，其特征在于，所述采样控制电路包括第一采样管和基础采样管，所述功率管和所述第一采样管、所述基础采样管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS，所述功率管的漏极连接输入端，所述功率管的源极连接输出端；

所述第一采样管的栅极连接所述功率管的栅极和所述基础采样管的栅极，所述第一采样管的漏极连接所述功率管的漏极和所述基础采样管的漏极，所述第一采样管的漏极电流跟随所述基础采样管的漏极电流，以使得所述第一采样管的漏极电流与所述基础采样管的漏极电流在输出电压的全工作范围内保持一致。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述采样控制电路还包括第二采样管，所述第二采样管为所述NMOS；

所述第二采样管的源极连接所述功率管的源极，所述第二采样管用于所述输入端和所述输出端的压差大于预设电压时，通过所述第二采样管的源极电流获得所述功率管的漏极电流。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS和第二PMOS；

所述第一PMOS的源极连接所述基础采样管的源极，所述第二PMOS的源极连接所述第一采样管的源极，所述第一PMOS的栅极连接所述第二PMOS的栅极。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS和第六PMOS；

所述第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS的源极连接所述输入端，所述第三PMOS、第四PMOS的栅极相连，所述第五PMOS、第六PMOS的栅极相连，所述第三PMOS的栅极连接所述第三PMOS的漏极、所述第二采样管的漏极和所述第五PMOS的漏极，所述第六PMOS的栅极连接所述第六PMOS的漏极；

所述第一采样管的漏极电流等于所述第六PMOS的源极电流，所述第六PMOS的源极电流等于所述第五PMOS的源极电流；

所述输入端和所述输出端的压差大于预设电压时，所述第二采样管的源极电流等于所述第三PMOS的源极电流和所述第五PMOS的源极电流之和，所述第三PMOS的源极电流等于所述第四PMOS的源极电流。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述输入端和所述输出端的压差不大于所述预设电压时，所述基础采样管的漏极电流等于所述功率管的漏极电流，所述第三PMOS被关断，所述第三PMOS的源极电流等于0。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第一NMOS和第二NMOS；

所述第一NMOS的栅极、所述第二NMOS的栅极、所述第一NMOS的漏极连接所述第二PMOS的漏极，所述第一NMOS的源极、所述第二NMOS的源极连接，所述第二NMOS的漏极连接所述第六PMOS的漏极。

7.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第四PMOS的漏极通过运算放大器连接所述功率管的栅极。

8.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一PMOS的尺寸等于所述第二PMOS的尺寸。

9.根据权利要求1至8任一项所述的电路，其特征在于，所述第一采样管的尺寸等于所述基础采样管的尺寸。

10.一种电源保护芯片，其特征在于，所述电源保护芯片包括功率管以及如权利要求1至8任一项所述的采样控制电路。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括电源以及如权利要求9所述的电源保护芯片。