[发明专利]一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路

说明书

本发明涉及开关电路技术领域，尤其涉及一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路。包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4；所述三极管Q1的基极与三极管Q2的基极电连接并分别与外设的PWM驱动信号输出端电连接；所述三极管Q1的集电极与三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q3的发射极分别与三极管Q4的集电极和外设的变压器T1的副边绕组一端电连接，所述三极管Q2的集电极与三极管Q4的基极电连接，所述三极管Q2的发射极分别与三极管Q4的发射极和外设的变压器T1的副边绕组另一端电连接。本方案不仅具有可靠性高，而且由于无需使用专用驱动放大芯片，因此还具有成本低的优点，极大利于工业化应用。

技术领域

本发明涉及开关电路技术领域，尤其涉及一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路。

背景技术

随着电力电子技术的发展，高频开关电源在工业、农业、国防尤其是电动汽车、储能等领域得到了广泛的应用。

因许多应用场合对电源的体积和尺寸有严格的要求，因此高频化、轻量化是电源发展的必然趋势，高频驱动控制电路在电源产品中具有重要的作用。一些电源拓扑如双管正激变换器、全桥变换器等，在工作时需要对双功率开关管同步驱动，因此对驱动控制电路的要求更高。

如图1所示，目前高频开关电源双管功率开关管的驱动电路大都是由电源管理芯片或数字芯片DSP发出的PWM驱动信号，通过晶体管Q1和Q2形成的图腾柱进行控制。但是，从这些电源管理芯片或数字芯片DSP的输出口发出的PWM驱动信号，存在以下缺点：

1)从电源管理芯片或数字芯片DSP输出口发出的PWM驱动信号幅值往往只有3.3V，当PWM驱动信号为高电平时，因其幅值只有3.3V，而辅助电源VCC的幅值通常为+12V或+15V；此时，因图腾柱的晶体管Q1与Q2基极电压低于Vcc，会始终处于导通状态，导致驱动变压器T1没有信号通过而不能正常工作。

2)需要使用专用驱动放大芯片，导致成本上升。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，能够有效解决上述问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4；

所述三极管Q1的基极与三极管Q2的基极电连接并分别与外设的PWM驱动信号输出端电连接；所述三极管Q1的集电极与三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q3的发射极分别与三极管Q4的集电极和外设的变压器T1的副边绕组一端电连接，所述三极管Q2的集电极与三极管Q4的基极电连接，所述三极管Q2的发射极分别与三极管Q4的发射极和外设的变压器T1的副边绕组另一端电连接。

进一步的，所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3均为NPN型低压晶体管，所述三极管Q4为PNP型低压晶体管。

进一步的，所述三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4的规格均为40V。

进一步的，还包括电阻R4，所述三极管Q1的基极通过电阻R4与外设的PWM驱动信号输出端电连接，所述三极管Q1的发射极接地。

进一步的，还包括电阻R1和电阻R2，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R1的一端和电阻R2的一端电连接，所述电阻R1的另一端与外设的电源VCC电连接，所述电阻R2的另一端与三极管Q3的基极电连接。

进一步的，还包括电阻R3，所述电阻R3的一端与外设的电源VCC电连接，所述电阻R3的另一端与三极管Q3的集电极电连接。

进一步的，还包括电阻R5，所述电阻R5的一端与外设的电源VCC电连接，所述电阻R5的另一端与三极管Q2的集电极电连接。