[发明专利]一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路

权利要求书

1.一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4；

所述三极管Q1的基极与三极管Q2的基极电连接并分别与外设的PWM驱动信号输出端电连接；所述三极管Q1的集电极与三极管Q3的基极电连接，所述三极管Q3的发射极分别与三极管Q4的集电极和外设的变压器T1的副边绕组一端电连接，所述三极管Q2的集电极与三极管Q4的基极电连接，所述三极管Q2的发射极分别与三极管Q4的发射极和外设的变压器T1的副边绕组另一端电连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3均为NPN型低压晶体管，所述三极管Q4为PNP型低压晶体管。

3.根据权利要求2所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，所述三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4的规格均为40V。

4.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，还包括电阻R4，所述三极管Q1的基极通过电阻R4与外设的PWM驱动信号输出端电连接，所述三极管Q1的发射极接地。

5.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，还包括电阻R1和电阻R2，所述三极管Q1的集电极分别与电阻R1的一端和电阻R2的一端电连接，所述电阻R1的另一端与外设的电源VCC电连接，所述电阻R2的另一端与三极管Q3的基极电连接。

6.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，还包括电阻R3，所述电阻R3的一端与外设的电源VCC电连接，所述电阻R3的另一端与三极管Q3的集电极电连接。

7.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，还包括电阻R5，所述电阻R5的一端与外设的电源VCC电连接，所述电阻R5的另一端与三极管Q2的集电极电连接。

8.根据权利要求5或6或7所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，所述PWM驱动信号输出端的驱动信号的幅值为3.3V，所述外设的电源VCC的输出电压为+12V或+15V。

9.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，还包括电容C1，所述三极管Q3的发射极通过电容C1与外设的变压器T1的副边绕组一端电连接。

10.根据权利要求1所述的一种基于低压晶体管的双功率开关管驱动电路，其特征在于，所述外设的变压器T1的副边绕组另一端接地。