[发明专利]高压保护电路及芯片、装置在审
| 申请号： | 202111658950.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114336535A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张弛;罗庆峰;赵辉;梁洁;李举会 | 申请（专利权）人： | 国民技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H11/00 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 张莎莎;何春晖 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 保护 电路 芯片 装置 | ||
1.一种高压保护电路，其特征在于，所述高压保护电路用于芯片，所述高压保护电路与芯片引脚和芯片内部电路串联，包括衬底选择电路、高压检测电路和保护开关：
所述高压检测电路，接收供电电压、芯片引脚电压，检测所述芯片引脚电压，输出控制信号；
所述衬底选择电路，接收供电电压、芯片引脚电压，输出衬底电压；
所述保护开关，接收所述控制信号和所述衬底电压，控制所述高压保护电路的通断。
2.根据权利要求1所述的高压保护电路，其特征在于：
若所述芯片引脚电压高于供电电压，则所述高压检测电路输出所述控制信号控制所述保护开关截止；
若所述芯片引脚电压低于供电电压，则所述高压检测电路输出所述控制信号控制所述保护开关导通。
3.根据权利要求1所述的高压保护电路，其特征在于：
若所述芯片引脚电压高于供电电压，则所述衬底选择电路输出所述衬底电压等于所述芯片引脚电压；
若所述芯片引脚电压低于供电电压，则所述衬底选择电路输出所述衬底电压等于所述供电电压。
4.根据权利要求1所述的高压保护电路，其特征在于，所述高压检测电路还包括P-MOS管，输入所述衬底选择电路输出的衬底电压。
5.根据权利要求3所述的高压保护电路，其特征在于，所述保护开关包括并联的第一开关和第二开关，其中：
所述第一开关为N-MOS管，栅极端接所述供电电压，衬底接地；
所述第二开关为P-MOS管，栅极端接所述控制信号，衬底接所述衬底电压。
6.根据权利要求5所述的高压保护电路，其特征在于：
若所述芯片引脚电压高于供电电压，则所述高压检测电路输出所述控制信号为第一控制信号；
若所述芯片引脚电压低于供电电压，则所述高压检测电路输出所述控制信号为第二控制信号。
7.根据权利要求6所述的高压保护电路，其特征在于：
若所述芯片引脚电压高于供电电压，所述第一开关截止；
若所述芯片引脚电压低于供电电压，所述第一开关导通。
8.根据权利要求6所述的高压保护电路，其特征在于：
若所述控制信号为所述第一控制信号，则所述第二开关截止；
若所述控制信号为所述第二控制信号，则所述第二开关导通。
9.根据权利要求5所述的高压保护电路，其特征在于，所述保护开关具有耐压保护功能。
10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的高压保护电路。
11.一种装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的芯片。
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