[发明专利]一种增加光二次吸收的MWT组件的制造、封装方法

说明书

本发明公开了一种增加光二次吸收的MWT组件及其制造、封装方法，在现有MWT的基础上，电池片正面图形保持原先的设计，电池背面采用铝栅线的形式代替目前的全铝背场设计；适配组件端单玻搭配高反背板，能够增加光的二次吸收，提高了光的利用率，有效提高组件综合发电效率。

技术领域

本申请涉及太阳能电池生产技术领域，尤其是涉及一种增加光二次吸收的MWT组件的制造、封装方法。

背景技术

目前MWT电池采用单面设计，背面采用全铝背场的设计，组件端为单玻组件，目前背接触采用芯板设计，无法做双玻组件，背面发电率无法利用，而常规电池逐渐发展为双面电池设计，背面采用铝栅线的设计，组件端采用双玻组件，双玻组件可双面发电。

MWT采用芯板背接触方式，目前无法制作双玻组件，但电池端可以采用铝栅线设计，组件端用单玻组件方案，长波光透过电池背面，通过背板反射进入电池背面，光再次吸收，组件功率提升，发电量增加。

单面电池背面有全面积铝层覆盖，会吸收更多入射的长波光也会影响对内反射光的吸收，降低了对光的利用率，MWT失去了背面发电的优势，MWT背接触方式硅片越做越薄，硅片越薄，光子吸收率越少，铝背场方案翘曲较大，效率较低。

MWT组件的普通背板做成高反背板，在单玻设计情形下，采用全铝背场的MWT电池，无法发挥背面高反射的优势，而MWT采用铝栅线加密设计，通过叠加高反背板增加光的二次吸收从而提升组件功率。

发明内容

针对于上述现有技术的不足，本发明提供一种增加光二次吸收的MWT组件的制造、封装方法，MWT组件采用铝栅线加密设计增加光的二次吸收从而提升组件功率。

本发明专利为一种增加光二次吸收的MWT组件的制造方法，包括MWT电池，该MWT电池包括硅片，硅片的背面覆有蓝膜，且该硅片的背面等间距开有铝栅线槽以及圆环，铝栅线槽包括呈平行分布的栅线以及呈交错分布的辅助线，铝栅线槽与圆环连接；制造该MWT电池的方法包括以下步骤：

步骤1，激光打孔：利用激光的热效应在硅片上开孔；

步骤2，制绒：通过双氧水溶液、氢氧化钠或氢氧化钾溶液、氢氟酸与盐酸混合溶液依次对硅片表面进行清洗；

步骤3，扩散：在750~850摄氏度的高温扩散炉中通入三氯氧磷、氧气、氮气在硅片表面制PN结；

步骤4，激光SE：利用激光，使金属化区域重掺杂；

步骤5，碱抛：利用KOH使背面抛的更光滑；

步骤6，退火：将硅片背靠背置于石英舟里，在氧化炉中通入氧气、氮气，表面生产二氧化硅膜；

步骤7，背钝化：硅片背面镀氧化铝沉积，提高长波吸收；

步骤8，镀膜：正背膜镀氮化硅，降低反射与钝化；

步骤9，背面激光开槽：利用激光在硅片背面刻线，刻线区域不包括贯穿孔隔离槽和背电极；

步骤10，丝网印刷：对硅片依次进行背电极、贯穿孔电极、背场和正电极银栅线印刷，制成MWT电池；

步骤11，对步骤10制成的MWT电池进行测试。

作为优选，步骤11的测试采用双面测试探针排，在测试机下增加黑色背板。用产线的夹具测试电池片效率会偏高，MWT铝栅线背面光滑，太阳光入射测试会吸收较多，在测试机下面增加黑色背板，黑色背板会吸收光，但不影响测试效率。

作为优选，制成的MWT电池的背面的栅线包括交替排布的铝主栅以及铝副栅，铝主栅上等间隔分布有小圆环，该小圆环为正极点外框；所述铝副栅上等间隔分布有大圆环，该大圆环为负极点外框。铝主栅较铝副栅的面积更大，用于收集电流；辅助线呈放射状交替分布，用于改善FF。

作为优选，制成的MWT电池的背面的圆环的边缘位置采用加密辅助线，加强电池片边缘电流的收集。

本发明还公开了一种增加光二次吸收的MWT组件的封装方法，具体包括以下步骤：