[发明专利]阵列基板以及显示面板在审
申请号: | 202111655044.4 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114371579A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 梁玉姣;李荣荣 | 申请(专利权)人: | 长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李莉 |
地址: | 410300 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 以及 显示 面板 | ||
本申请公开了阵列基板以及显示面板,阵列基板,包括衬底基板,设于衬底基板上的多个子像素,子像素包括主区和次区;主区薄膜晶体管的至少部分设于主区内主区龙骨电极交叉位置处;和/或,次区薄膜晶体管的至少部分设于次区内次区龙骨电极交叉位置处。本申请能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管,从而在子像素中减少形成不透光区域,继而提高面板的开口率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及阵列基板以及显示面板。
背景技术
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展,液晶显示面板凭借其轻薄、节能、显示品质高以及制作工艺成熟稳定等优势,已经成为显示面板的主流。其中,垂直配向模式(VA)液晶显示设备由于在量产型和显示特性等方面的优越性,成为市场上主流的液晶显示设备之一。
传统的垂直配向模式液晶显示面板由于液晶分子双折射率差异较大,进而导致大视角色偏严重。现有技术中,通过将传统的4畴(Domain)子像素分为main/sub(主/次)区,以形成8Domain子像素,使得同一个子像素主区的4个畴与次区的4个畴的液晶分子转动角度不同,可以有效改善色偏。
现有VA面板中的8Domain子像素是在Main pixel(主像素电极)与Sub pixel(次像素电极)之间设置栅极线(gate线)、薄膜晶体管等,也即Main pixel和Sub pixel之间形成非透光区。然而,这种设置方式会导致主像素电极与次像素电极之间的非透光区域占用较大,而非透光区域面积较大则导致像素开口率低,进而导致面板的开口率降低,降低面板显示效果。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供阵列基板以及显示面板,旨在解决现有技术中主像素电极和次像素电极之间的非透光区域占用较大导致面板开口率较低的问题。通过将主区薄膜晶体管的至少部分设置在主区龙骨电极交叉位置处,以及将次区薄膜晶体管的至少部分设置在次区龙骨电极交叉位置处,能够解决8畴像素设计的面板中因非透光区域较大而导致的面板开口率较低的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的第一技术方案是提供一种阵列基板,包括衬底基板,设于衬底基板上的多个子像素,子像素包括主区和次区;主区薄膜晶体管的至少部分设于主区内主区龙骨电极交叉位置处;和/或,次区薄膜晶体管的至少部分设于次区内次区龙骨电极交叉位置处。
因此,主区龙骨电极交叉位置处与次区龙骨电极交叉位置处的开口率本身就较低,将主区薄膜晶体管的部分设于主区龙骨电极交叉位置处,和/或将次区薄膜晶体管的至少部分设于次区龙骨电极交叉位置处,能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管,从而在子像素中减少形成不透光区域,继而提高面板的开口率。
其中,子像素包括第一像素电极,位于主区内,主区龙骨电极包括第一主区主干电极以及第二主区主干电极;其中,第一主区主干电极与第二主区主干电极相交以将主区分成四个畴;子像素包括第二像素电极,位于次区内,次区龙骨电极包括第一次区主干电极以及第二次区主干电极;其中,第一次区主干电极与第二次区主干电极相交以将次区分成四个畴。
因此,通过第一主区主干电极以及第二主区主干电极将第一像素电极分成四个畴,以及通过第一次区主干电极以及第二次区主干电极将第二像素电极分成四个畴,能够形成8畴显示。
其中,主区薄膜晶体管连接一条对应的第一子扫描线、一条对应的数据线和第一像素电极;次区薄膜晶体管连接一条对应的第二子扫描线、对应的数据线和第二像素电极;阵列基板进一步包括:共享晶体管,连接第二子扫描线、次区薄膜晶体管和一条对应的共享信号线。
因此,通过主区薄膜晶体管以及次区薄膜晶体管分别对第一像素电极以及第二像素电极进行供电,以及将共享晶体管与次区薄膜晶体管进行连接,能够对次区薄膜晶体管进行放电,从而对第二像素电极进行漏电,以使得第二像素电极可以具有与第一像素电极不同的电压,继而使得第一像素电极对应的液晶分子的偏转角度与第二像素电极对应的液晶分子的偏转角度不同,从而扩大视角范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司,未经长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111655044.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。