[发明专利]光电器件及其制备方法、显示装置

说明书

本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。所述光电器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极，所述空穴传输层和所述发光层之间还设置有金属间化合物层。能够提高光电器件的发光效率，延长光电器件的寿命。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机电致发光器件(OLED或量子点电致发光器件(QLED)。

量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，用其作量子点发光层可制成QLED。与有机电致发光二极管相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势。

然而，目前QLED仍存在许多应用上的问题，其中载流子注入不平衡是影响光电器件效率的重要因素，空穴传输层的载流子迁移率往往大幅低于电子传输层，导致光电器件的空穴注入不足，效率低下，从而影响光电器件的发光效率和寿命。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在解决现有技术中光电器件空穴注入不足，效率低下、影响光电器件的发光效率和寿命的技术问题。

本申请提供了一种光电器件，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极，所述空穴传输层和所述发光层之间还设置有金属间化合物层。

可选地，所述金属间化合物层的材料包括金属元素与金属元素形成的有序化合物，或者包括金属元素与类金属元素形成的有序化合物。

可选地，所述金属间化合物层的材料为硅基金属间化合物，所述硅基金属间化合物为Si_mB_n，其中，B表示金属元素，m表示Si元素的原子个数，n表示金属元素B的原子个数。

可选地，所述空穴传输层和所述金属间化合物层的厚度之比为2～1。

可选地，还包括设置在所述空穴传输层和所述阳极之间的空穴注入层和设置在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。

可选地，所述发光层的材料包括量子点，所述量子点包括二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的至少一种；

所述二元相量子点包括CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe和HgS中的至少一种；

所述三元相量子点包括Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X中的至少一种；

所述四元相量子点包括Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、PbSe_XS_1-X/ZnS中的至少一种；

其中，0﹤x﹤1。

可选地，所述量子点表面连接有能够溶于非极性溶剂的配体。

可选地，所述配体包括酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂、聚乙烯基吡啶中的至少一种。

可选地，所述酸配体包括十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；