[发明专利]显示装置有效
| 申请号: | 202111649830.3 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114005850B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
| 发明(设计)人: | 齐琪;徐健;陈婉芝;赵欣欣 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;孙琦 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置。该显示装置包括显示面板以及发光板。发光板位于显示面板的非显示侧。发光板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的发光单元,发光单元在平行于衬底基板的方向上的最大尺寸不大于3毫米;紧邻的四个发光单元的中心连线构成四边形,四个发光单元中任意两个发光单元均相邻设置,构成四边形的且距离最远的两个发光单元的中心连线经过该两个发光单元的彼此靠近的边缘上的两个第一点,两个第一点之间的距离为第一距离D1,发光单元发出的光线中最边缘的光线与平行于衬底基板的平面之间的夹角为θ,显示面板与衬底基板的彼此靠近的表面之间的最小距离不小于D1*tanθ/2。该显示装置可以在具有较薄厚度的同时实现较好的高动态光照渲染效果。
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
显示系统对于像素密度(PPI)、分辨率、高动态光照渲染(HDR)等性能要求越来越高,液晶显示器想要保持竞争优势,作为背光源的发光二极管(LED)的尺寸越来越小,可以有助于提升相关的显示性能。
迷你发光二极管(Mini LED)或微发光二极管(Micro LED)可以作为背光源。在Mini LED或Micro LED作为背光源与传统的液晶显示面板结合时,通过控制Mini LED或Micro LED的亮度使其与显示面板呈现的灰阶相互配合,可以使液晶显示装置具有与有机发光二极管显示装置相当的高对比度。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种显示装置。
本公开的至少一实施例提供一种显示装置,包括:显示面板以及发光板。所述发光板位于所述显示面板的非显示侧,且与所述显示面板层叠设置。所述发光板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个发光单元,至少一个发光单元在平行于所述衬底基板的方向上的最大尺寸不大于3毫米;所述多个发光单元中紧邻的四个发光单元的中心连线构成四边形,所述四个发光单元中任意两个发光单元均相邻设置,构成所述四边形的且距离最远的两个发光单元的中心连线经过该两个发光单元的彼此靠近的边缘上的两个第一点,所述两个第一点之间的距离为第一距离D1,所述发光单元发出的光线中最边缘的光线与平行于所述衬底基板的平面之间的夹角为θ,所述显示面板与所述衬底基板的彼此靠近的表面之间的最小距离不小于D1*tanθ/2。
例如,根据本公开的实施例,所述四边形包括平行四边形。
例如,根据本公开的实施例,所述多个发光单元中的至少部分发光单元沿第一方向和第二方向阵列排布,所述第一方向与所述第二方向相交;沿所述第一方向排列的相邻两个发光单元以及与该相邻两个发光单元在所述第二方向上分别相邻的两个发光单元的中心连线构成所述四边形,所述四边形的边与所述第一方向或者所述第二方向的夹角范围在-20°~20°之间取值。
例如,根据本公开的实施例,显示装置还包括:光扩散结构,位于所述发光板与所述显示面板之间,所述光扩散结构在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度小于D1*tanθ/2。所述光扩散结构与所述发光板间隔设置,所述发光单元被所述两个第一点的连线的延长线所截的截线尺寸为L,所述光扩散结构面向所述发光板一侧表面与所述发光单元面向所述衬底基板的表面之间的距离为第二距离D2,所述第二距离D2满足: D1*tanθ/2D2[(3*D1+2L) *tanθ]/2。
例如,根据本公开的实施例,显示装置还包括:光扩散结构,位于所述发光板与所述显示面板之间,所述光扩散结构与至少部分发光单元直接接触,所述发光单元在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度为H1,所述光扩散结构的厚度H2满足:D1*tanθ/2-H1≤H2≤5mm。
例如,根据本公开的实施例,所述发光单元包括未封装的发光二极管芯片,所述未封装的发光二极管芯片在平行于所述衬底基板的方向上的最大尺寸不大于500微米。
例如,根据本公开的实施例,所述多个发光单元面向所述显示面板的一侧设置有保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





