[发明专利]一种光刻胶树脂单体的制备方法

说明书

本发明涉及一种光刻胶树脂单体的制备方法，该制备方法包括如下合成路线：其中，X为卤素原子，R₁、R₂和R₃分别选自氢原子或C₁～C₆烷基；所述制备方法包括如下步骤：a)将式Ⅲ化合物、缚酸剂、阻聚剂溶于有机溶剂中，滴加式Ⅱ化合物，经酯化反应，纯化，得到式Ⅰ光刻胶树脂单体。本发明的原料转化率更高，且后处理更加简便，得到的产品收率高，纯度高。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种光刻胶树脂单体的制备方法。

背景技术

193nm光刻胶基本为化学放大胶，化学放大胶是一种基于化学放大原理的光刻胶，其主要成分是聚合物树脂、光致产酸剂以及相应的添加剂(碱性添加剂、溶解抑制剂等)和溶剂。其中，聚合物树脂是由不同侧链结构的树脂单体之间共聚形成的，侧链结构是赋予聚合物树脂所需功能的关键组分，通常为聚合物树脂提供极性集团和酸敏基团。极性基团可以平衡树脂的亲疏水性，改善树脂与基底间的粘附性，并为主体树脂提供可显影性。酸敏基团可以在光致产酸剂作用下从侧链脱离，使树脂由不溶转变为碱可溶，实现曝光区域与未曝光区域的溶解度反差。

金刚烷丙烯酸酯化合物的由于在光学特性、耐热性、酸解理性等方面优异，是一种广泛应用于193nm光刻胶的树脂单体，但是现有技术制备的但是现有的制备方法收率低、纯度低。

发明内容

本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种光刻胶树脂单体的制备方法。

为了实现本发明之目的，本申请提供以下技术方案。

在第一方面中，本申请提供一种光刻胶树脂单体的制备方法，所述制备方法包括如下合成路线：

其中，X为卤素原子，R₁、R₂和R₃分别选自氢原子或C₁～C₆烷基；

所述制备方法包括如下步骤：

a)将式Ⅲ化合物、缚酸剂、阻聚剂溶于有机溶剂中，滴加式Ⅱ化合物，经酯化反应，纯化，得到式Ⅰ光刻胶树脂单体。

在第一方面的一种实施方式中，还包括如下技术特征中的至少一项：

a1)所述X为氯原子；

a2)所述R₃选自氢原子或甲基；

a3)所述R₁和R₂分别选自氢原子、甲基或乙基；

a4)所述缚酸剂选自2，6-二甲基吡啶、2，6-二甲基苯胺和三乙胺中的一种；

a5)所述阻聚剂选自4-甲氧基酚、抗氧剂264和对苯二酚中的一种；

a6)所述有机溶剂选自二氯甲烷或二氯乙烷；

a7)所述式Ⅲ化合物、式Ⅱ化合物和缚酸剂摩尔比为1：(2.5～3.5)：(3.5～4.5)。如1:3:4或1:2.5:4.5或1:3.5:3.5等。

在第一方面的一种实施方式中，所述式Ⅰ化合物的滴加温度为0～5℃。如2℃或4℃等。

在第一方面的一种实施方式中，所述反应包括两个阶段，第一阶段的反应的温度为0～5℃，反应的时间为0.5～2h；

第二阶段的反应的温度为25～30℃，反应的时间为3～5h。

在第一方面的一种实施方式中，所述制备方法的纯化包括如下步骤：

b)将反应后的反应液加水淬灭，待混合溶液分层为第一水相和第一有机相；