[发明专利]温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法

权利要求书

1.一种复合激光晶体生长系统，其特征在于，所述复合激光晶体生长系统包括：温控机构（100）、生长炉（200）和晶体生长装置（300）；

所述晶体生长装置（300）位于所述生长炉（200）内部；

所述温控机构（100）用于复合激光晶体的生长，所述温控机构（100）包括：调节件（1）、第一保温件（21）和第二保温件（22）；

所述第一保温件（21）的接触端具有第一过孔（210），所述第二保温件（22）的接触端具有第二过孔（220）；

所述调节件（1）分别与所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）连接，使得所述温控机构（100）在第一温控状态和第二温控状态之间切换；

所述第一温控状态下，所述第一保温件（21）的接触端和所述第二保温件（22）的接触端相接触，使得所述第一过孔（210）和所述第二过孔（220）适配对接形成籽晶杆过孔（23），同时使所述激光晶体的生长热场的温度梯度减小；

所述第二温控状态下，所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）彼此分离，以使所述激光晶体的生长热场的温度梯度增大；

所述调节件（1）包括：第一驱动杆（11）、第一传动杆（12）、第二驱动杆（13）和第二传动杆（14）；

所述第一驱动杆（11）和所述第二驱动杆（13）分别密封地贯穿所述生长炉（200）的顶壁两侧；

所述第一传动杆（12）在所述生长炉（200）内部水平搭接于所述第一保温件（21）上且与所述第一保温件（21）连接；

所述第二传动杆（14）在所述生长炉（200）内部水平搭接于所述第二保温件（22）上且与所述第二保温件（22）连接；

所述温控机构（100）的第一保温件（21）和第二保温件（22）均位于所述生长炉（200）内部，且分别座于所述晶体生长装置（300）的保温盖板（301）的两侧；

所述温控机构（100）的调节件（1）密封地贯穿所述生长炉（200）的壁，使得所述调节件（1）具有位于所述生长炉（200）内部的连接端以及位于所述生长炉（200）外部的操作端，且所述连接端与所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）相连接；

所述第一温控状态下，所述第一保温件（21）的接触端和所述第二保温件（22）的接触端相接触，以部分地封堵所述保温盖板（301）上的出晶口（3010），且允许籽晶杆贯穿籽晶杆过孔（23）；

所述第二温控状态下，所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）彼此分离，以完全暴露所述保温盖板（301）上的出晶口（3010）。

2.根据权利要求1所述的复合激光晶体生长系统，其特征在于，所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）的材质均为氧化铝或者氧化锆。

3.根据权利要求2所述的复合激光晶体生长系统，其特征在于，所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）均为平板状。

4.一种复合激光晶体的制备方法，其特征在于，所述复合激光晶体的制备方法采用了权利要求1-3任一项所述的复合激光晶体生长系统；

所述复合激光晶体的制备方法包括：

在熔料阶段、晶体预热阶段和晶体生长完毕后的降温阶段，构建第一热场，所述构建第一热场包括：通过调节所述温控机构（100）的调节件（1），使所述第一保温件（21）的接触端和所述第二保温件（22）的接触端相接触，直至所述温控机构（100）处于第一温控状态；以及，

在晶体熔接阶段，构建第二热场，所述构建第二热场包括：通过调节所述温控机构（100）的调节件（1），使所述第一保温件（21）和所述第二保温件（22）彼此分离，直至所述温控机构（100）处于第二温控状态；

其中，所述第二热场的温度梯度大于所述第一热场的温度梯度。

5.根据权利要求4所述的复合激光晶体的制备方法，其特征在于，在所述晶体熔接阶段，连续地降低晶坯的下移速率，以及，

在引晶阶段，连续地增加晶坯的拉速。