[发明专利]一种Dummy read控制方法、装置及介质

说明书

本申请公开一种Dummy read控制方法、装置及介质，涉及硬盘技术领域。本申请所提供的Dummy read控制方法，通过每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境，根据Nand Flash存储器的工作环境，每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。比起目前的采用固定的时间间隔进行Dummy read的方式，Nand Flash存储器可以通过检测工作环境，根据不同工作环境采用不同的预设时间间隔，避免选取的时间间隔过大带来不能精确的消除首次读取效应的影响，选取时间间隔过小带来的冗余操作的问题，提高Nand Flash存储器的存储效率。

技术领域

本申请涉及硬盘技术领域，特别是涉及一种Dummy read控制方法、装置及介质。

背景技术

近年来，随着计算机信息技术的兴起，涉及到信息存储的硬盘技术成为一个热门技术领域，在众多硬盘中Nand Flash是目前应用广泛的存储介质，它由无数个晶体管电路组成，最终被作为一个单位封装起来成为闪存颗粒芯片，其原理是通过存储在存储单元中不同的电荷量呈现出不同的电压值来记录数据，由于Nand颗粒的硬件电气特性，对于一个已写入数据的物理Block，当超过一段时间无Read操作时，之后用户的第一次读取操作时数据的位反转概率会增大，即会有较高的RBER，这种现象我们称为首次读取效应。

目前的技术方案中，为了规避首次读取效应的影响，通常会对每个保存有效数据的Block固定时间间隔执行Dummy read操作，即仅向对应的Block发送Read命令，并不实际读取Flash中的数据，我们称其为Read refresh操作。由于首次读取效应受快闪记忆体(Nand Flash)存储器的工作温度，磨损次数(PE cycles)的影响，固定时间间隔执行Dummyread操作，时间间隔取的较大，不能精确的消除首次读取效应的影响，时间间隔取的较小时，会引入大量的冗余操作，降低用户对Nand Flash存储器的访问效率。

鉴于上述技术，寻找一种时间间隔合理的Nand Flash存储器的Dummy read控制方法是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种Dummy read控制方法，以便于解决当前由于固定时间间隔执行Dummy read操作，时间间隔取的较大，不能精确的消除首次读取效应的影响，时间间隔取的较小时，会引入大量的冗余操作，降低用户对Nand Flash存储器的访问效率的问题。

为解决上述技术问题，一种Dummy read控制方法，应用于Nand Flash存储器，所述方法包括：

每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境；

根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔；其中，所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置所述Nand Flash存储器的工作环境，所述工作环境包括所述Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的所述Nand Flash存储器为至少两个，一个所述Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试，读取各所述NandFlash存储器在测试结束时的数据，获取到所述数据中读取出错的位数，并根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔；

按照确定出的所述预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作。

优选地，所述测试过程中，所述读取各所述Nand Flash存储器的数据，并获取到所述数据中读取出错的位数包括：

读取各所述Nand Flash存储器中的数据，并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数；